256Mb NOR型閃存uPD29F256115 和uPD29F256415，它采用多級單元(MLC)技術(shù)提供更低成本的存儲器產(chǎn)品，以適合用于需要增加功能的移動應(yīng)用。

這就使該公司能開發(fā)出低成本高容量模塊，達(dá)到非MLC產(chǎn)品同樣的讀取速度。

NEC公司采用0.15微米技術(shù)來提供有256Mb容量的NOR型閃存，其讀取速度為85ns，頁讀取速度為25ns.uD29F256115采用32位數(shù)據(jù)總線,進(jìn)一步優(yōu)化在移動應(yīng)用方面的性能。

器件可以是精細(xì)間隔的FBGA封裝和堆棧式多片封裝(S-MCP),它結(jié)合閃存和移動專用RAM或靜態(tài)RAM。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-14 通道數(shù)量:4 Channel 電源電壓-最大:5.5 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:1.5 MHz 每個通道的輸出電流:100 mA SR - 轉(zhuǎn)換速率 :420 mV/us Vos - 輸入偏置電壓 :5.5 mV 電源電壓-最小:1.8 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:35 nA 工作電源電流:116 uA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:86 dB en - 輸入電壓噪聲密度:50 nV/sqrt Hz 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Texas Instruments 高度:1.45 mm In—輸入噪聲電流密度:0.07 pA/sqrt Hz 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:8.64 mm 工作電源電壓:3 V 輸出類型:Rail-to-Rail 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:70 dB 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:Amplifier ICs 電源類型:Single 技術(shù):BiCMOS Vcm - 共模電壓:1.8 V to 5.5 V 電壓增益 dB:100 dB 寬度:3.91 mm 單位重量:150.400 mg

集成的功率檢測器降低了電流消耗，其典型的工作電流為240mA。

之所以有低電流消耗，一是集成了功率控制和檢測，二是有效的硅鍺結(jié)構(gòu)，它有高熱導(dǎo)率和低結(jié)溫。集成的功率檢測器輸入范圍為15dB，精確度為±1.0 dB。

這是比降低輸出功率更為有效的方法，例如采用外接元件來衰減輸出信號或降低輸入信號功率，這些都需要功放消耗標(biāo)準(zhǔn)的工作電流。

集成的功率檢測和控制特性,由于消除了為了實(shí)現(xiàn)功率檢測而需要的外接元件而降低成本及制造成本。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）