嵌入式Q因子檢測(cè)技術(shù)以確保發(fā)射器模式的充電安全
發(fā)布時(shí)間:2021/10/20 13:31:21 訪問次數(shù):123
新充電器芯片具有專用硬件和高級(jí)算法,旨在解決高功率傳輸期間 ASK和FSK 通信挑戰(zhàn)。
為了給用戶提供額外靈活性,STWLC98 新增加了功能,可以切換到高效發(fā)射器模式,在兩個(gè)設(shè)備之間實(shí)現(xiàn)高功率電量共享。
STWLC98在接收器設(shè)備中導(dǎo)入業(yè)界首創(chuàng)的嵌入式 Q 因子檢測(cè)技術(shù)以確保發(fā)射器模式的充電安全。
意法半導(dǎo)體無線充電解決方案的用戶可以免費(fèi)下載使用PC圖形界面工具軟件ST Wireless Power Studio,以加快設(shè)計(jì)導(dǎo)入,簡(jiǎn)化開發(fā)流程,包括校準(zhǔn) FOD、調(diào)整 Q 因子檢測(cè)和通信診斷。
制造商:Xilinx 產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 產(chǎn)品:Kintex-7 邏輯元件數(shù)量:326080 LE 輸入/輸出端數(shù)量:500 I/O 工作電源電壓:1.2 V to 3.3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 100 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FCBGA-900 商標(biāo):Xilinx 數(shù)據(jù)速率:6.6 Gb/s 分布式RAM:4000 kbit 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:16020 kbit 最大工作頻率:640 MHz 濕度敏感性:Yes 邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:25475 LAB 收發(fā)器數(shù)量:16 Transceiver 產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工廠包裝數(shù)量1 子類別:Programmable Logic ICs
新型WARP2 600V 50A,35A和20A不穿通(NPT)的IGBT,改善了通信和服務(wù)器系統(tǒng)中大電流高頻開關(guān)電源(SMPS)的關(guān)斷性能。
新型NPT IGBT以比功率MOSFET更好的性/價(jià)比提供性能和效率。WARP2 IGBT和HEXFRED二極管共同封在一起,和早期的在功率MOSFET集成的體二極管相比,有更好的性能。
新器件的封裝有兩種:TO-247和TO-220。
新充電器芯片具有專用硬件和高級(jí)算法,旨在解決高功率傳輸期間 ASK和FSK 通信挑戰(zhàn)。
為了給用戶提供額外靈活性,STWLC98 新增加了功能,可以切換到高效發(fā)射器模式,在兩個(gè)設(shè)備之間實(shí)現(xiàn)高功率電量共享。
STWLC98在接收器設(shè)備中導(dǎo)入業(yè)界首創(chuàng)的嵌入式 Q 因子檢測(cè)技術(shù)以確保發(fā)射器模式的充電安全。
意法半導(dǎo)體無線充電解決方案的用戶可以免費(fèi)下載使用PC圖形界面工具軟件ST Wireless Power Studio,以加快設(shè)計(jì)導(dǎo)入,簡(jiǎn)化開發(fā)流程,包括校準(zhǔn) FOD、調(diào)整 Q 因子檢測(cè)和通信診斷。
制造商:Xilinx 產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 產(chǎn)品:Kintex-7 邏輯元件數(shù)量:326080 LE 輸入/輸出端數(shù)量:500 I/O 工作電源電壓:1.2 V to 3.3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 100 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FCBGA-900 商標(biāo):Xilinx 數(shù)據(jù)速率:6.6 Gb/s 分布式RAM:4000 kbit 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:16020 kbit 最大工作頻率:640 MHz 濕度敏感性:Yes 邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:25475 LAB 收發(fā)器數(shù)量:16 Transceiver 產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工廠包裝數(shù)量1 子類別:Programmable Logic ICs
新型WARP2 600V 50A,35A和20A不穿通(NPT)的IGBT,改善了通信和服務(wù)器系統(tǒng)中大電流高頻開關(guān)電源(SMPS)的關(guān)斷性能。
新型NPT IGBT以比功率MOSFET更好的性/價(jià)比提供性能和效率。WARP2 IGBT和HEXFRED二極管共同封在一起,和早期的在功率MOSFET集成的體二極管相比,有更好的性能。
新器件的封裝有兩種:TO-247和TO-220。
熱門點(diǎn)擊
- 可編16級(jí)低電壓檢測(cè)模塊(PLVD)和可編的
- AI計(jì)算能力高達(dá)2.3TOPS可滿足輕量級(jí)邊
- 26MHz晶體和功率放大器三頻帶從天線到基帶
- 傳感器測(cè)距速度每秒60幀VL53L5CX實(shí)現(xiàn)
- 片上控制器使Au1100處理需要低功耗的高性
- 齊納二極管保護(hù)柵使靜電放電(ESD)保護(hù)超過
- 省空間的FBGA封裝由于限制對(duì)閃存引腳的存取
- 靈活可變運(yùn)行模式和靜態(tài)模式確保低功耗和最高6
- 測(cè)試場(chǎng)景采用5G SA模式(獨(dú)立5G)高速數(shù)
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推薦技術(shù)資料
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