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同步降壓點(diǎn)負(fù)載(POL)降低了元件數(shù)和系統(tǒng)的占位面積

發(fā)布時(shí)間:2021/10/28 12:24:59 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):132

通信和其它應(yīng)用的磚型轉(zhuǎn)換器的發(fā)展趨勢(shì)是要小1/8和1/16。

采用FDC3616作為初級(jí)邊開(kāi)關(guān),F(xiàn)DC796N為同步整流器,可以得到小型48V電源輸入的"板上"DC/DC轉(zhuǎn)換器,體積只有平常的一半。

此外,30V FDC796N也很適合用在同步降壓點(diǎn)負(fù)載(POL),其電源的開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)1MHz。

在這方面應(yīng)用,SSOT-6 FLMP封裝對(duì)低柵極電荷,低柵極電阻MOSFET工藝進(jìn)一步改善,從而使開(kāi)關(guān)損耗得到進(jìn)一步降低。

制造商:onsemi產(chǎn)品種類(lèi):功率因數(shù)校正 - PFCRoHS: 詳細(xì)信息 開(kāi)關(guān)頻率:70 kHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):onsemi Pd-功率耗散:450 mW 產(chǎn)品類(lèi)型:PFC - Power Factor Correction 系列:NCP1608 工廠(chǎng)包裝數(shù)量:2500 子類(lèi)別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg

單線(xiàn)數(shù)字輸入,采用簡(jiǎn)化串行控制(S2CwirelTM)接口,兩種器件有32級(jí)對(duì)數(shù)刻度的LED亮度控制。

這種方案比需要用PWM信號(hào)來(lái)控制LED亮度的,大大地簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。恒流輸出保證了LED亮度的均勻性,也不需要限流電阻。

電荷泵設(shè)計(jì)也比基于電感的升壓轉(zhuǎn)換器有更低得多的EMI和噪音。

AAT3123/4也降低了元件數(shù)和系統(tǒng)的占位面積。1MHz的開(kāi)關(guān)頻率使得能用很小的外接電容1uF。兩個(gè)電荷泵升壓電容,一個(gè)在Vin,一個(gè)在Vout。


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


通信和其它應(yīng)用的磚型轉(zhuǎn)換器的發(fā)展趨勢(shì)是要小1/8和1/16。

采用FDC3616作為初級(jí)邊開(kāi)關(guān),F(xiàn)DC796N為同步整流器,可以得到小型48V電源輸入的"板上"DC/DC轉(zhuǎn)換器,體積只有平常的一半。

此外,30V FDC796N也很適合用在同步降壓點(diǎn)負(fù)載(POL),其電源的開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)1MHz。

在這方面應(yīng)用,SSOT-6 FLMP封裝對(duì)低柵極電荷,低柵極電阻MOSFET工藝進(jìn)一步改善,從而使開(kāi)關(guān)損耗得到進(jìn)一步降低。

制造商:onsemi產(chǎn)品種類(lèi):功率因數(shù)校正 - PFCRoHS: 詳細(xì)信息 開(kāi)關(guān)頻率:70 kHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):onsemi Pd-功率耗散:450 mW 產(chǎn)品類(lèi)型:PFC - Power Factor Correction 系列:NCP1608 工廠(chǎng)包裝數(shù)量:2500 子類(lèi)別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg

單線(xiàn)數(shù)字輸入,采用簡(jiǎn)化串行控制(S2CwirelTM)接口,兩種器件有32級(jí)對(duì)數(shù)刻度的LED亮度控制。

這種方案比需要用PWM信號(hào)來(lái)控制LED亮度的,大大地簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。恒流輸出保證了LED亮度的均勻性,也不需要限流電阻。

電荷泵設(shè)計(jì)也比基于電感的升壓轉(zhuǎn)換器有更低得多的EMI和噪音。

AAT3123/4也降低了元件數(shù)和系統(tǒng)的占位面積。1MHz的開(kāi)關(guān)頻率使得能用很小的外接電容1uF。兩個(gè)電荷泵升壓電容,一個(gè)在Vin,一個(gè)在Vout。


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