eGaN FET低開關(guān)損耗實現(xiàn)高效且極低溫升以防止設(shè)備過熱
發(fā)布時間:2021/10/28 12:28:17 訪問次數(shù):546
Fairchild有專利的FLMP封裝,消除了通常的引線鍵合,在PCB和MOSFET芯片(漏極)間有極短的熱阻通道,和其它許多MOSFET封裝相比,在降低電和熱特性限制方面大大地改善了性能。
例如,F(xiàn)DC796N的PCB面積比有同樣熱阻特性的SO-8封裝的小三倍。
簡化開發(fā)的“RA產(chǎn)品家族靈活配置軟件包”(FSP),以及為藍牙配置文件和應(yīng)用開發(fā)的專用工具“Renesas QE for Bluetooth LE插件”。
該新品還支持TrustZone等RA產(chǎn)品家族的高級安全保障機制。
對于輕負載效率至關(guān)重要的應(yīng)用來說,例如筆記本電腦和顯示器的LED背光,eGaN FET的低開關(guān)損耗可實現(xiàn)高效且極低的溫升以防止設(shè)備過熱。同步升壓拓撲為電源系統(tǒng)設(shè)計人員提供一種簡單且低成本的解決方案。
輸入電壓2.7-5.5V,AAT3123/4的每個輸出恒定電流高達20mA。
ANNA-B4模塊,這是一款功能豐富、超緊湊的藍牙5.1系統(tǒng)級封裝(SiP)模塊。ANNA-B4是智能照明網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)斷路器,以及制造現(xiàn)場、倉庫、醫(yī)院和智能城市等惡劣環(huán)境中實現(xiàn)室內(nèi)定位的理想之選。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
Fairchild有專利的FLMP封裝,消除了通常的引線鍵合,在PCB和MOSFET芯片(漏極)間有極短的熱阻通道,和其它許多MOSFET封裝相比,在降低電和熱特性限制方面大大地改善了性能。
例如,F(xiàn)DC796N的PCB面積比有同樣熱阻特性的SO-8封裝的小三倍。
簡化開發(fā)的“RA產(chǎn)品家族靈活配置軟件包”(FSP),以及為藍牙配置文件和應(yīng)用開發(fā)的專用工具“Renesas QE for Bluetooth LE插件”。
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對于輕負載效率至關(guān)重要的應(yīng)用來說,例如筆記本電腦和顯示器的LED背光,eGaN FET的低開關(guān)損耗可實現(xiàn)高效且極低的溫升以防止設(shè)備過熱。同步升壓拓撲為電源系統(tǒng)設(shè)計人員提供一種簡單且低成本的解決方案。
輸入電壓2.7-5.5V,AAT3123/4的每個輸出恒定電流高達20mA。
ANNA-B4模塊,這是一款功能豐富、超緊湊的藍牙5.1系統(tǒng)級封裝(SiP)模塊。ANNA-B4是智能照明網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)斷路器,以及制造現(xiàn)場、倉庫、醫(yī)院和智能城市等惡劣環(huán)境中實現(xiàn)室內(nèi)定位的理想之選。
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