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1/1.7英寸830萬(wàn)像素CMOS數(shù)字圖像傳感器改進(jìn)系統(tǒng)性能

發(fā)布時(shí)間:2021/10/30 19:21:51 訪問(wèn)次數(shù):349


1/1.7英寸830萬(wàn)像素CMOS數(shù)字圖像傳感器,該傳感器采用卷簾快門(mén)和嵌入式高動(dòng)態(tài)范圍(eHDR)技術(shù)。

AR0821CS在具挑戰(zhàn)的照明條件下提供卓越的圖像質(zhì)量,滿足商業(yè)、消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用的不同需求。這些應(yīng)用包括掃描儀/讀卡器、機(jī)器視覺(jué)相機(jī)、高端無(wú)人機(jī)、儀表盤(pán)相機(jī)和智能樓宇監(jiān)控/安防系統(tǒng)。

AR0821CS具有一系列多用途功能,提供830萬(wàn)像素、60幀/秒 (fps) 的4K視頻,且功耗極低。該先進(jìn)的傳感器包括安森美獨(dú)有的2.1微米(μm) DR-Pix™背照式(BSI)像素設(shè)計(jì),賦能高量子效率,以及片上HDR(eHDR)技術(shù),提供超過(guò)140 dB的同類最佳動(dòng)態(tài)范圍。

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SO-8FL-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續(xù)漏極電流:241 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.15 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.3 VQg-柵極電荷:82 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:115 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):onsemi配置:Single下降時(shí)間:9 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:135 S產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:18 ns工廠包裝數(shù)量:1500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:54 ns典型接通延遲時(shí)間:13 ns單位重量:187 mg


網(wǎng)絡(luò)搜索引擎75K72100,具有18Mb,512Kx36位(256kx72位)的配置,工作在250MSPS(百萬(wàn)次搜索/秒)。新的IDT 75K72100 NSE給設(shè)計(jì)者提供能在單獨(dú)互斥的數(shù)據(jù)庫(kù)中同時(shí)進(jìn)行搜索,增加搜索速率,支持在每指令中用單一器件進(jìn)行多個(gè)全速OC-192包的搜索。

新器件通過(guò)數(shù)據(jù)庫(kù)同時(shí)查找(SMDL)和下一個(gè)自由尋址(NFA)的功能,使高性能的系統(tǒng)能增加包處理速率,開(kāi)設(shè)新的服務(wù)。

該器件還能共享IDT其它高性能NSE系列產(chǎn)品的先進(jìn)特性,改進(jìn)系統(tǒng)性能,降低功耗。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


1/1.7英寸830萬(wàn)像素CMOS數(shù)字圖像傳感器,該傳感器采用卷簾快門(mén)和嵌入式高動(dòng)態(tài)范圍(eHDR)技術(shù)。

AR0821CS在具挑戰(zhàn)的照明條件下提供卓越的圖像質(zhì)量,滿足商業(yè)、消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用的不同需求。這些應(yīng)用包括掃描儀/讀卡器、機(jī)器視覺(jué)相機(jī)、高端無(wú)人機(jī)、儀表盤(pán)相機(jī)和智能樓宇監(jiān)控/安防系統(tǒng)。

AR0821CS具有一系列多用途功能,提供830萬(wàn)像素、60幀/秒 (fps) 的4K視頻,且功耗極低。該先進(jìn)的傳感器包括安森美獨(dú)有的2.1微米(μm) DR-Pix™背照式(BSI)像素設(shè)計(jì),賦能高量子效率,以及片上HDR(eHDR)技術(shù),提供超過(guò)140 dB的同類最佳動(dòng)態(tài)范圍。

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SO-8FL-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續(xù)漏極電流:241 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.15 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.3 VQg-柵極電荷:82 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:115 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):onsemi配置:Single下降時(shí)間:9 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:135 S產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:18 ns工廠包裝數(shù)量:1500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:54 ns典型接通延遲時(shí)間:13 ns單位重量:187 mg


網(wǎng)絡(luò)搜索引擎75K72100,具有18Mb,512Kx36位(256kx72位)的配置,工作在250MSPS(百萬(wàn)次搜索/秒)。新的IDT 75K72100 NSE給設(shè)計(jì)者提供能在單獨(dú)互斥的數(shù)據(jù)庫(kù)中同時(shí)進(jìn)行搜索,增加搜索速率,支持在每指令中用單一器件進(jìn)行多個(gè)全速OC-192包的搜索。

新器件通過(guò)數(shù)據(jù)庫(kù)同時(shí)查找(SMDL)和下一個(gè)自由尋址(NFA)的功能,使高性能的系統(tǒng)能增加包處理速率,開(kāi)設(shè)新的服務(wù)。

該器件還能共享IDT其它高性能NSE系列產(chǎn)品的先進(jìn)特性,改進(jìn)系統(tǒng)性能,降低功耗。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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