高性能電路的測試也表明,很平穩(wěn)的晶體管參數(shù)能用在模擬和數(shù)字應(yīng)用,有很低的噪音。

采用這種技術(shù)，研究人員演示了幾種破記錄的IC：110GHz+動態(tài)頻率分頻器，86GHz靜態(tài)頻率分頻器和95GHz壓控振蕩器(VCO)以及77GHz汽車?yán)走_(dá)收發(fā)器。其結(jié)果表明，SiGe雙極工藝很適合各種高速模擬和數(shù)字方面的應(yīng)用，如Gbps數(shù)據(jù)通信和寬帶無線應(yīng)用或微波產(chǎn)品。

SiGe工藝是一種證明成熟的有70GHz 的fT工藝，所生產(chǎn)的產(chǎn)品包括有RF晶體管，低噪音放大器和用于移動無線基站的單片微波集成電路。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 114 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 61 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 4 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 46 S

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

系列: OptiMOS 5

1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 14 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: IPB073N15N5 SP001180660

單位重量: 4 g

200MHz Arm Cortex-M33 CPU內(nèi)核

支持從512KB到1MB多個閃存選項；內(nèi)置256KB RAM

支持溫度范圍：Ta = -40~85°C

提供從48到100引腳的封裝選項

高性能：3.95CoreMark/MHz（在閃存中執(zhí)行CoreMark算法時）

集成以太網(wǎng)MAC

全速USB2.0、串行通信（可靈活配置成同步和異步模式的SCI、I2C、SPI）、CAN、SSI、SDHI、QSPI

集成瑞薩定時器

高級模擬功能

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