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72Mb同步管線突發(fā)無總線等待的SSRAM W2Z1M72SJ35BC

發(fā)布時間:2021/10/30 23:22:08 訪問次數(shù):105

EPC2069 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用,包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。

較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面積內(nèi),實現(xiàn)高功率密度。

EPC90139開發(fā)板的最大器件電壓為40 V 、最大輸出電流為40 A,配備板載柵極驅(qū)動器的半橋器件,采用了EPC2069 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。電路板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計,包含所有關(guān)鍵組件,讓工程師易于評估EPC2069。

制造商: Monolithic Power Systems (MPS)

產(chǎn)品種類: 交流/直流轉(zhuǎn)換器

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8E

輸出電壓: 1.5 V to 15 V

輸入/電源電壓—最小值: 85 VAC

輸入/電源電壓—最大值: 305 VAC

拓撲結(jié)構(gòu): Boost

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

輸出電流: 200 mA

封裝: Reel

商標: Monolithic Power Systems (MPS)

絕緣: Non-Isolated

濕度敏感性: Yes

輸出端數(shù)量: 1 Output

產(chǎn)品: AC/DC Converters

產(chǎn)品類型: AC/DC Converters

工廠包裝數(shù)量: 1

子類別: PMIC - Power Management ICs

類型: Regulator

一種72Mb同步管線突發(fā)無總線等待的SSRAM W2Z1M72SJ35BC,它有最高密度的四個或六個存儲器。該器件能使設(shè)計者降低功耗和整個存儲器的數(shù)量。

工作頻率在150-250MHz的CMOS存儲器,存取時間為2.8-3.9ns,工作電壓2.5V,100%和業(yè)界所選擇的無等待結(jié)構(gòu)兼容。

它的封裝是209針BGA封裝,尺寸為14x22mm,在讀寫處理時支持100%占空比的帶寬。公司也提供36Mb的512Kbx72的器件W2Z512K72SJ35BC。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

EPC2069 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用,包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。

較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面積內(nèi),實現(xiàn)高功率密度。

EPC90139開發(fā)板的最大器件電壓為40 V 、最大輸出電流為40 A,配備板載柵極驅(qū)動器的半橋器件,采用了EPC2069 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。電路板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計,包含所有關(guān)鍵組件,讓工程師易于評估EPC2069。

制造商: Monolithic Power Systems (MPS)

產(chǎn)品種類: 交流/直流轉(zhuǎn)換器

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8E

輸出電壓: 1.5 V to 15 V

輸入/電源電壓—最小值: 85 VAC

輸入/電源電壓—最大值: 305 VAC

拓撲結(jié)構(gòu): Boost

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

輸出電流: 200 mA

封裝: Reel

商標: Monolithic Power Systems (MPS)

絕緣: Non-Isolated

濕度敏感性: Yes

輸出端數(shù)量: 1 Output

產(chǎn)品: AC/DC Converters

產(chǎn)品類型: AC/DC Converters

工廠包裝數(shù)量: 1

子類別: PMIC - Power Management ICs

類型: Regulator

一種72Mb同步管線突發(fā)無總線等待的SSRAM W2Z1M72SJ35BC,它有最高密度的四個或六個存儲器。該器件能使設(shè)計者降低功耗和整個存儲器的數(shù)量。

工作頻率在150-250MHz的CMOS存儲器,存取時間為2.8-3.9ns,工作電壓2.5V,100%和業(yè)界所選擇的無等待結(jié)構(gòu)兼容。

它的封裝是209針BGA封裝,尺寸為14x22mm,在讀寫處理時支持100%占空比的帶寬。公司也提供36Mb的512Kbx72的器件W2Z512K72SJ35BC。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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