2到6個(gè)芯片的MCP，有NOR閃存，NAND閃存，SRAM，假SRAM(PSRAM)和低功耗SDRAM各種組合，以滿足數(shù)碼照相手機(jī)和豐富多彩特性的3G手機(jī)的復(fù)雜的存儲(chǔ)器要求。

更寬的x16 NAND單芯片閃存的總線寬度加倍，和x8 NAND閃存相比，降低了數(shù)據(jù)傳輸所需要的時(shí)間近50%。為了滿足OEM客戶的要求，東芝提供低功耗SDRAM作為多種存儲(chǔ)器MCP器件的一種選擇。

這些手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)器的要求變得越來越復(fù)雜，因?yàn)樵谑謾C(jī)中增加了附加的特性和應(yīng)用功能，如互聯(lián)網(wǎng)瀏覽，文字信息，游戲和數(shù)字照相機(jī)功能。

制造商:ISSI產(chǎn)品種類:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RoHS: 詳細(xì)信息類型:SDRAM安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOP-54數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit組織:4 M x 16存儲(chǔ)容量:64 Mbit最大時(shí)鐘頻率:143 MHz訪問時(shí)間:5.4 ns電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:3 V電源電流—最大值:90 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:IS42S16400J封裝:Tray商標(biāo):ISSI濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:108子類別:Memory & Data Storage單位重量:7.711 g

緊湊型防水I8等級(jí)封裝擴(kuò)大了應(yīng)用范圍,BM1390GLV 利用了羅姆在MEMS,控制電路與防水技術(shù)的多種技術(shù)積累，以與傳統(tǒng)緊湊型封裝（2.0mm × 2.0mm × 1.0mm）相同的尺寸實(shí)現(xiàn) I8 防水性能。

優(yōu)越的溫度特性和抗應(yīng)力能力實(shí)現(xiàn)高精度氣壓測(cè)量，BM1390GLV采用獨(dú)創(chuàng)的溫度補(bǔ)償功能和陶瓷材料封裝，以實(shí)現(xiàn)優(yōu)越的溫度特性和抗應(yīng)力。

即使在受溫度變化和壓力影響的環(huán)境中，也能實(shí)現(xiàn)高精度氣壓測(cè)量。第一款支持高達(dá)800MBps數(shù)據(jù)速率的雙倍數(shù)據(jù)速率-II (DDR-II)鎖相環(huán)(PLL)CDCU877。

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