NexperiaTrEOS的主動可控硅整流技術(shù)的技術(shù)和抗反射的
發(fā)布時間:2021/11/1 21:32:41 訪問次數(shù):399
兩款PESD5V0R1BxSF器件,即具有極低鉗位和電容的雙向靜電放電(ESD)保護二極管。
該器件采用NexperiaTrEOS的主動可控硅整流技術(shù)的技術(shù),可確保筆記本電腦和外圍設(shè)備、智能手機及其他便攜式電子設(shè)備上的USB4TM(高達2 x 20 Gbps)數(shù)據(jù)線擁有最佳信號完整性。
因為USB4TM超高速線路的插入損耗和回波損耗預(yù)算有限,所以Nexperia提供盡可能降低ESD保護對總預(yù)算影響的器件,希望為設(shè)計工程師提供支持。
通過提供這兩種器件選型,工程師可以在ESD電壓鉗位(保護級別)和RF性能之間找到平衡。
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit組織:2 G x 32存儲容量:64 Gbit最大時鐘頻率:2133 MHz電源電壓-最大:1.1 V最小工作溫度:- 25 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Tray商標:Micron產(chǎn)品類型:DRAM1360子類別:Memory & Data Storage
Digital Ink有許多優(yōu)點:傳感器的厚度范圍很寬,從0.36mm到50.8mm;傳感器的材料可以是玻璃或塑料,其上面的膜可以是磨光的,抗炫眼的和抗反射的.
材料的光傳輸率在550nm波長時高達95%;具有抗細菌的性能(獨立測試表明抗E大腸桿菌和葡萄球菌);鋼筆書寫速度可達1016mm/秒以及抗靜電和使用壽命10年等.
該產(chǎn)品很適合用在小型手提單顆電池的音頻應(yīng)用和消費類電子產(chǎn)品如個人CD和迷你型CD盤播放器,電子玩具以及游戲.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
兩款PESD5V0R1BxSF器件,即具有極低鉗位和電容的雙向靜電放電(ESD)保護二極管。
該器件采用NexperiaTrEOS的主動可控硅整流技術(shù)的技術(shù),可確保筆記本電腦和外圍設(shè)備、智能手機及其他便攜式電子設(shè)備上的USB4TM(高達2 x 20 Gbps)數(shù)據(jù)線擁有最佳信號完整性。
因為USB4TM超高速線路的插入損耗和回波損耗預(yù)算有限,所以Nexperia提供盡可能降低ESD保護對總預(yù)算影響的器件,希望為設(shè)計工程師提供支持。
通過提供這兩種器件選型,工程師可以在ESD電壓鉗位(保護級別)和RF性能之間找到平衡。
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit組織:2 G x 32存儲容量:64 Gbit最大時鐘頻率:2133 MHz電源電壓-最大:1.1 V最小工作溫度:- 25 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Tray商標:Micron產(chǎn)品類型:DRAM1360子類別:Memory & Data Storage
Digital Ink有許多優(yōu)點:傳感器的厚度范圍很寬,從0.36mm到50.8mm;傳感器的材料可以是玻璃或塑料,其上面的膜可以是磨光的,抗炫眼的和抗反射的.
材料的光傳輸率在550nm波長時高達95%;具有抗細菌的性能(獨立測試表明抗E大腸桿菌和葡萄球菌);鋼筆書寫速度可達1016mm/秒以及抗靜電和使用壽命10年等.
該產(chǎn)品很適合用在小型手提單顆電池的音頻應(yīng)用和消費類電子產(chǎn)品如個人CD和迷你型CD盤播放器,電子玩具以及游戲.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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