電壓調(diào)整精度為0.5%能最大限度利用電池制造功率晶體
發(fā)布時(shí)間:2021/11/4 19:05:39 訪問次數(shù):327
這使得MQ1188控制器很適合用在數(shù)量大的手持產(chǎn)品和無線設(shè)備如PDA和有大彩色顯示屏的移動(dòng)手機(jī).
MQ1188控制器工作在66MHz,使OEM廠家能設(shè)計(jì)提供新型智能手機(jī),它能處理新一代多媒體和無線應(yīng)用以及服務(wù).
單顆和雙顆鋰離子和鋰聚合物充電管理控制器MCP7384x系列產(chǎn)品.這些器件的電壓調(diào)整精度為0.5%,能最大限度利用電池,提高了電池的壽命,處于業(yè)界領(lǐng)先地位.
此外,他們還為低成本簡單的充電解決方案提供安全特性.
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器RoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200系列:MT53D封裝:Tray商標(biāo):Micron濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:1360子類別:Memory & Data Storage單位重量:11.098 g
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器RoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200系列:MT53D封裝:Tray商標(biāo):Micron濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:1360子類別:Memory & Data Storage單位重量:11.098 g
以碳化硅為材料的功率晶體,在碳化硅的高臨界電場強(qiáng)度之下,即使相同耐壓條件之下,其磊晶層的厚度約為硅材料的1/10,進(jìn)而其所造成的通態(tài)電阻能夠有效被降低,達(dá)到高耐壓低通態(tài)電阻的基本要求。
這些電池充電器很適合用在無線手持設(shè)備,PDA,數(shù)碼相機(jī),MP3播放器,自充電電池盒和其它以鋰離子和鋰聚合物電池為能源的設(shè)備.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
這使得MQ1188控制器很適合用在數(shù)量大的手持產(chǎn)品和無線設(shè)備如PDA和有大彩色顯示屏的移動(dòng)手機(jī).
MQ1188控制器工作在66MHz,使OEM廠家能設(shè)計(jì)提供新型智能手機(jī),它能處理新一代多媒體和無線應(yīng)用以及服務(wù).
單顆和雙顆鋰離子和鋰聚合物充電管理控制器MCP7384x系列產(chǎn)品.這些器件的電壓調(diào)整精度為0.5%,能最大限度利用電池,提高了電池的壽命,處于業(yè)界領(lǐng)先地位.
此外,他們還為低成本簡單的充電解決方案提供安全特性.
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器RoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200系列:MT53D封裝:Tray商標(biāo):Micron濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:DRAM工廠包裝數(shù)量:1360子類別:Memory & Data Storage單位重量:11.098 g
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以碳化硅為材料的功率晶體,在碳化硅的高臨界電場強(qiáng)度之下,即使相同耐壓條件之下,其磊晶層的厚度約為硅材料的1/10,進(jìn)而其所造成的通態(tài)電阻能夠有效被降低,達(dá)到高耐壓低通態(tài)電阻的基本要求。
這些電池充電器很適合用在無線手持設(shè)備,PDA,數(shù)碼相機(jī),MP3播放器,自充電電池盒和其它以鋰離子和鋰聚合物電池為能源的設(shè)備.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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