敏感型CT探測器的32層探測器及基于芯片結(jié)溫的熱關(guān)斷(TSD)
發(fā)布時(shí)間:2021/11/6 21:46:02 訪問次數(shù):955
將128通道ADC以單芯片方式集成至單個(gè)器件中,而不是作為分立式器件置于光電二極管陣列旁。這可以簡化設(shè)計(jì),降低CT探測器供應(yīng)商的制造成本。
兩個(gè)AS5951 IC可放置在Z軸,有助于開發(fā)適用于價(jià)格敏感型CT探測器的32層探測器。提供內(nèi)部參考電壓,因此無需使用外部元器件,降低了材料成本。
集成溫度傳感器可監(jiān)控芯片溫度。利用AS5951,客戶可獲得一種現(xiàn)成的傳感器芯片解決方案,簡化了系統(tǒng)與探測器的集成。
制造商:Littelfuse 產(chǎn)品種類:自恢復(fù)保險(xiǎn)絲—PPTC 端接類型:SMD/SMT 保持電流:3 A 最大電壓:15 V 跳閘電流:5 A 額定電流—最大值:40 A 電阻:48 mOhms 封裝 / 箱體:2920 (7351 metric) 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Littelfuse 高度:1.25 mm 長度:6.73 mm 濕度敏感性:Yes 安裝風(fēng)格:PCB Mount Pd-功率耗散:1.5 W 產(chǎn)品類型:Resettable Fuses - PPTC 工廠包裝數(shù)量1500 子類別:PPTC Resettable Fuses 類型:PolyFuse Resettable PTC 寬度:4.8 mm 單位重量:190 mg
電路還穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)器的偏壓軌,因此在各種工作條件下,保護(hù)了潛在的柵-源過壓.
NCP51820提供重要的保護(hù)功能如單獨(dú)的欠壓鎖住(UVLO),監(jiān)測VDD偏壓和VDDH和VDDL驅(qū)動(dòng)器偏壓以及基于芯片結(jié)溫的熱關(guān)斷(TSD).可編的死區(qū)時(shí)間控制能防止交叉導(dǎo)通.
MASTERGAN4是先進(jìn)功率系統(tǒng)級封裝(SiP),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的增強(qiáng)模式GaN功率晶體管.集成的功率GaN有650V漏極-源極阻斷電壓,RDS(ON) 為225 mΩ.而高邊嵌入柵極驅(qū)動(dòng)器能很容易由集成的陰極負(fù)載二極管供電.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
將128通道ADC以單芯片方式集成至單個(gè)器件中,而不是作為分立式器件置于光電二極管陣列旁。這可以簡化設(shè)計(jì),降低CT探測器供應(yīng)商的制造成本。
兩個(gè)AS5951 IC可放置在Z軸,有助于開發(fā)適用于價(jià)格敏感型CT探測器的32層探測器。提供內(nèi)部參考電壓,因此無需使用外部元器件,降低了材料成本。
集成溫度傳感器可監(jiān)控芯片溫度。利用AS5951,客戶可獲得一種現(xiàn)成的傳感器芯片解決方案,簡化了系統(tǒng)與探測器的集成。
制造商:Littelfuse 產(chǎn)品種類:自恢復(fù)保險(xiǎn)絲—PPTC 端接類型:SMD/SMT 保持電流:3 A 最大電壓:15 V 跳閘電流:5 A 額定電流—最大值:40 A 電阻:48 mOhms 封裝 / 箱體:2920 (7351 metric) 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Littelfuse 高度:1.25 mm 長度:6.73 mm 濕度敏感性:Yes 安裝風(fēng)格:PCB Mount Pd-功率耗散:1.5 W 產(chǎn)品類型:Resettable Fuses - PPTC 工廠包裝數(shù)量1500 子類別:PPTC Resettable Fuses 類型:PolyFuse Resettable PTC 寬度:4.8 mm 單位重量:190 mg
電路還穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)器的偏壓軌,因此在各種工作條件下,保護(hù)了潛在的柵-源過壓.
NCP51820提供重要的保護(hù)功能如單獨(dú)的欠壓鎖住(UVLO),監(jiān)測VDD偏壓和VDDH和VDDL驅(qū)動(dòng)器偏壓以及基于芯片結(jié)溫的熱關(guān)斷(TSD).可編的死區(qū)時(shí)間控制能防止交叉導(dǎo)通.
MASTERGAN4是先進(jìn)功率系統(tǒng)級封裝(SiP),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的增強(qiáng)模式GaN功率晶體管.集成的功率GaN有650V漏極-源極阻斷電壓,RDS(ON) 為225 mΩ.而高邊嵌入柵極驅(qū)動(dòng)器能很容易由集成的陰極負(fù)載二極管供電.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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