DDR5的模塊4K和8K內(nèi)容創(chuàng)建-20°C到70°C極端溫度和高濕度
發(fā)布時(shí)間:2021/11/8 13:24:42 訪問次數(shù):120
DDR5 可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的電源效率，將工作電壓降低到 1.1V。此外，其特有的功能使未來的芯片密度可從今天的 16Gb 擴(kuò)展到 24Gb、32Gb 及以上，使 DDR5 的模塊密度比 DDR4 DRAM 翻兩番。這為支持 DDR5 的系統(tǒng)提供了發(fā)展空間和未來的可擴(kuò)展性。
改進(jìn)的總線效率帶來更高的有效帶寬。通過集成更高的帶寬、更低的功耗和更高的密度，DDR5可提高新興PC應(yīng)用所需的性能，例如4K和8K內(nèi)容創(chuàng)建、互動(dòng)娛樂、個(gè)人和企業(yè)生產(chǎn)力，以及虛擬現(xiàn)實(shí)體驗(yàn)。
通過滿足嚴(yán)苛的多核CPU需求,DDR5 內(nèi)存還有助于在不影響系統(tǒng)性能情況下讓多任務(wù)的處理效率更高。
制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WDFN-6晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:2 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續(xù)漏極電流:3.7 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:70 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 VVgs th-柵源極閾值電壓:400 mVQg-柵極電荷:6.5 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:1.5 W通道模式:Enhancement封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):onsemi配置:Dual下降時(shí)間:11.8 ns高度:0.75 mm長(zhǎng)度:2 mm產(chǎn)品:MOSFET Small Signal產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:11.8 ns系列:NTLJD4116N工廠包裝數(shù)量:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:2 N-Channel典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14.2 ns典型接通延遲時(shí)間:4.8 ns寬度:2 mm單位重量:17.670 mg
一種堅(jiān)固的兩行16個(gè)字，陽(yáng)光下可讀的玻璃上芯片液晶顯示器(LCD)，其型號(hào)為DV3002。
能夠經(jīng)受住-20°C到70°C的極端溫度和高濕度，DV3002適用在用電池工作的設(shè)備，它的重量和環(huán)境都是嚴(yán)格要求的，例如過程控制設(shè)備，移動(dòng)數(shù)據(jù)采集設(shè)備和手提儀表。
非接觸型接口符合ISO/IEC 14443 B型標(biāo)準(zhǔn),它能調(diào)整卡的物理特性,射頻功率和信號(hào)接口,防沖突處理和傳輸協(xié)議.智能卡開發(fā)商能采用為AE45X系列而開發(fā)的日立E6000仿真器來開發(fā)基于AE45X-B微控制器的產(chǎn)品和進(jìn)行調(diào)試.這些芯片的軟件和AE-4系列MCU兼容。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
DDR5 可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的電源效率，將工作電壓降低到 1.1V。此外，其特有的功能使未來的芯片密度可從今天的 16Gb 擴(kuò)展到 24Gb、32Gb 及以上，使 DDR5 的模塊密度比 DDR4 DRAM 翻兩番。這為支持 DDR5 的系統(tǒng)提供了發(fā)展空間和未來的可擴(kuò)展性。
改進(jìn)的總線效率帶來更高的有效帶寬。通過集成更高的帶寬、更低的功耗和更高的密度，DDR5可提高新興PC應(yīng)用所需的性能，例如4K和8K內(nèi)容創(chuàng)建、互動(dòng)娛樂、個(gè)人和企業(yè)生產(chǎn)力，以及虛擬現(xiàn)實(shí)體驗(yàn)。
通過滿足嚴(yán)苛的多核CPU需求,DDR5 內(nèi)存還有助于在不影響系統(tǒng)性能情況下讓多任務(wù)的處理效率更高。
制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WDFN-6晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:2 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續(xù)漏極電流:3.7 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:70 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 VVgs th-柵源極閾值電壓:400 mVQg-柵極電荷:6.5 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:1.5 W通道模式:Enhancement封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):onsemi配置:Dual下降時(shí)間:11.8 ns高度:0.75 mm長(zhǎng)度:2 mm產(chǎn)品:MOSFET Small Signal產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:11.8 ns系列:NTLJD4116N工廠包裝數(shù)量:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:2 N-Channel典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14.2 ns典型接通延遲時(shí)間:4.8 ns寬度:2 mm單位重量:17.670 mg
一種堅(jiān)固的兩行16個(gè)字，陽(yáng)光下可讀的玻璃上芯片液晶顯示器(LCD)，其型號(hào)為DV3002。
能夠經(jīng)受住-20°C到70°C的極端溫度和高濕度，DV3002適用在用電池工作的設(shè)備，它的重量和環(huán)境都是嚴(yán)格要求的，例如過程控制設(shè)備，移動(dòng)數(shù)據(jù)采集設(shè)備和手提儀表。
非接觸型接口符合ISO/IEC 14443 B型標(biāo)準(zhǔn),它能調(diào)整卡的物理特性,射頻功率和信號(hào)接口,防沖突處理和傳輸協(xié)議.智能卡開發(fā)商能采用為AE45X系列而開發(fā)的日立E6000仿真器來開發(fā)基于AE45X-B微控制器的產(chǎn)品和進(jìn)行調(diào)試.這些芯片的軟件和AE-4系列MCU兼容。
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