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電子遷移率μch來改善功率晶體的通道通態(tài)電阻進行充電

發(fā)布時間:2021/11/4 19:41:11 訪問次數(shù):213

電池預處理支持電池深度耗盡.電池溫度監(jiān)測(MCP73841/2)能連續(xù)測量電池溫度,防止在超出所規(guī)定的溫度范圍內進行充電.

安全計時器允許基于時間的充電終止,這能保證有缺陷電池充電時的安全性.這些器件給設計者靈活編程充電電流和利用外接場效應晶體管(FET),使它很適合用在快速充電的高容量電池盒中.這些電池充電器的充電溫度是-40度到85度C.

MCP73841/2/3/4,當輸入電源移去時能自動關斷,以最小化電池漏電流.

制造商:Texas Instruments產品種類:專業(yè)電源管理 (PMIC)

RoHS: 詳細信息系列:TPS6594-Q1類型:Multi-Channel PMIC安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFNP-56輸出電流:+/- 300 mA, +/- 500 mA, +/- 2 A, +/- 3.5 A, +/- 4 A輸入電壓范圍:2.8 V to 5.5 V輸出電壓范圍:0.3 V to 3.34 V, 0.6 V to 3.3 V, 1.2 V to 3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C封裝:Reel封裝:Cut Tape應用:Automotive商標:Texas Instruments開發(fā)套件:TPS6594EVM, TPS659411EVM, TPS659413EVM濕度敏感性:Yes工作電源電壓:2.8 V to 5.5 V產品:Buck, LDO Power Management ICs產品類型:Power Management Specialized - PMIC工廠包裝數(shù)量:2000子類別:PMIC - Power Management ICs

減少通道長度L,就必須考慮DIBL效應

減少門極氧化層厚度dox,會造成門極氧化層的可靠度問題

提高通道寬度W,必須增加功率晶體的面積,使成本增加

提高驅動電壓VGS,會造成門極氧化層的可靠度問題

提高通道的電子遷移率μch來改善功率晶體的通道通態(tài)電阻,但是必須從晶體平面(crystal plane)選用及制程上著手.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

電池預處理支持電池深度耗盡.電池溫度監(jiān)測(MCP73841/2)能連續(xù)測量電池溫度,防止在超出所規(guī)定的溫度范圍內進行充電.

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制造商:Texas Instruments產品種類:專業(yè)電源管理 (PMIC)

RoHS: 詳細信息系列:TPS6594-Q1類型:Multi-Channel PMIC安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFNP-56輸出電流:+/- 300 mA, +/- 500 mA, +/- 2 A, +/- 3.5 A, +/- 4 A輸入電壓范圍:2.8 V to 5.5 V輸出電壓范圍:0.3 V to 3.34 V, 0.6 V to 3.3 V, 1.2 V to 3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C封裝:Reel封裝:Cut Tape應用:Automotive商標:Texas Instruments開發(fā)套件:TPS6594EVM, TPS659411EVM, TPS659413EVM濕度敏感性:Yes工作電源電壓:2.8 V to 5.5 V產品:Buck, LDO Power Management ICs產品類型:Power Management Specialized - PMIC工廠包裝數(shù)量:2000子類別:PMIC - Power Management ICs

減少通道長度L,就必須考慮DIBL效應

減少門極氧化層厚度dox,會造成門極氧化層的可靠度問題

提高通道寬度W,必須增加功率晶體的面積,使成本增加

提高驅動電壓VGS,會造成門極氧化層的可靠度問題

提高通道的電子遷移率μch來改善功率晶體的通道通態(tài)電阻,但是必須從晶體平面(crystal plane)選用及制程上著手.


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