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GNDA和GNDB間經(jīng)受±12.8kV浪涌電壓向5G毫米波技術(shù)轉(zhuǎn)變

發(fā)布時間:2021/11/11 12:57:56 訪問次數(shù):151

F5288和F5268 IC采用獨特的動態(tài)陣列功率(DAP)技術(shù),可在10至16dBm的可編程線性輸出功率范圍內(nèi)高效運行,使得第三代IC更容易滿足移動和固定無線應(yīng)用場景中對多種輸出功率等級的要求。

這種靈活性讓通信領(lǐng)域客戶能夠在不同應(yīng)用中只需微調(diào)其天線陣列設(shè)計即可使用,從而節(jié)省設(shè)計時間。

無論在城市還是鄉(xiāng)村,移動與固定無線網(wǎng)絡(luò)正在向5G毫米波技術(shù)轉(zhuǎn)變。因此,獲得足夠的信號覆蓋范圍,或者說解決當(dāng)下信號覆蓋不足仍然是最大的挑戰(zhàn)。

動態(tài)陣列功率技術(shù)可從容高效地呈現(xiàn)不同級別的輸出功率。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:以太網(wǎng) ICRoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-48產(chǎn)品:Ethernet Transceivers標(biāo)準(zhǔn):10BASE-TE, 100BASE-TX, 1GBASE-T收發(fā)器數(shù)量:1 Transceiver接口類型:MII, RGMII, SGMII工作電源電壓:1.8 V, 2.5 V, 3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C系列:封裝:Reel商標(biāo):Texas Instruments濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Ethernet ICs工廠包裝數(shù)量:2000子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:3.45 V電源電壓-最小:1.71 V

汽車和通用器件都可工作在環(huán)境溫度-40C 到 +125C.器件滿足AEC-Q100規(guī)范,20-SSOP具有5.5mm爬電距離和電氣間隙,能經(jīng)受住3.75kVRMS 60秒(VISO),連續(xù)經(jīng)受784VRMS (VIOWM),在GNDA和GNDB間經(jīng)受±12.8kV浪涌電壓,波型為1.2/50μs.

高的CMTI(50kV/μs典型),器件具有低功耗,VDD=1.8V時1Mbps每路功耗為0.71mW,100Mbps的每路功耗為3.21mW.

低傳輸延遲和低抖動,最大數(shù)據(jù)速率高達(dá)200Mbps,滿足UL 1577.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

F5288和F5268 IC采用獨特的動態(tài)陣列功率(DAP)技術(shù),可在10至16dBm的可編程線性輸出功率范圍內(nèi)高效運行,使得第三代IC更容易滿足移動和固定無線應(yīng)用場景中對多種輸出功率等級的要求。

這種靈活性讓通信領(lǐng)域客戶能夠在不同應(yīng)用中只需微調(diào)其天線陣列設(shè)計即可使用,從而節(jié)省設(shè)計時間。

無論在城市還是鄉(xiāng)村,移動與固定無線網(wǎng)絡(luò)正在向5G毫米波技術(shù)轉(zhuǎn)變。因此,獲得足夠的信號覆蓋范圍,或者說解決當(dāng)下信號覆蓋不足仍然是最大的挑戰(zhàn)。

動態(tài)陣列功率技術(shù)可從容高效地呈現(xiàn)不同級別的輸出功率。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:以太網(wǎng) ICRoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-48產(chǎn)品:Ethernet Transceivers標(biāo)準(zhǔn):10BASE-TE, 100BASE-TX, 1GBASE-T收發(fā)器數(shù)量:1 Transceiver接口類型:MII, RGMII, SGMII工作電源電壓:1.8 V, 2.5 V, 3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C系列:封裝:Reel商標(biāo):Texas Instruments濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Ethernet ICs工廠包裝數(shù)量:2000子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:3.45 V電源電壓-最小:1.71 V

汽車和通用器件都可工作在環(huán)境溫度-40C 到 +125C.器件滿足AEC-Q100規(guī)范,20-SSOP具有5.5mm爬電距離和電氣間隙,能經(jīng)受住3.75kVRMS 60秒(VISO),連續(xù)經(jīng)受784VRMS (VIOWM),在GNDA和GNDB間經(jīng)受±12.8kV浪涌電壓,波型為1.2/50μs.

高的CMTI(50kV/μs典型),器件具有低功耗,VDD=1.8V時1Mbps每路功耗為0.71mW,100Mbps的每路功耗為3.21mW.

低傳輸延遲和低抖動,最大數(shù)據(jù)速率高達(dá)200Mbps,滿足UL 1577.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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