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0.6umCMOS工藝多個(gè)波束成形器IC進(jìn)行同步和異步控制

發(fā)布時(shí)間:2021/11/11 13:10:48 訪問次數(shù):417

1M位MRAM存儲(chǔ)器能消除電子設(shè)備中共同問題，如計(jì)算機(jī)和手機(jī)的上電慢，數(shù)據(jù)遺失，裝載數(shù)據(jù)長時(shí)間等待，電池壽命短等。MRAM設(shè)計(jì)成允許所有的程序和數(shù)據(jù)保持在局部的存儲(chǔ)器，即使在電源關(guān)斷時(shí)。它也能期望消除手機(jī)開機(jī)時(shí)的延時(shí)。

用一個(gè)晶體管(1T)和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM，其讀寫周期小于50ns。

64K位X16位存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)是根據(jù)0.6umCMOS工藝，在200mm襯底用銅互連來制造。在銅互連導(dǎo)線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍。

制造商:Analog Devices Inc.產(chǎn)品種類:模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADCRoHS: 系列:安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:MSOP-10分辨率:16 bit通道數(shù)量:1 Channel接口類型:SPI采樣比:500 kS/s輸入類型:Differential結(jié)構(gòu):SAR模擬電源電壓:5 V數(shù)字電源電壓:1.8 V to 5.5 VSNR – 信噪比:92.7 dB最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Tube商標(biāo):Analog DevicesDNL - 微分非線性:- 1 LSB/1.5 LSB增益誤差:+/- 6 LSB高度:0.85 mmINL - 積分非線性:+/- 2 LSB輸入電壓:5 V長度:3 mmADC 輸入端數(shù)量:1 Input轉(zhuǎn)換器數(shù)量:1 Converter工作電源電壓:5 VPd-功率耗散:21.5 mW功耗:15 mW產(chǎn)品類型:ADCs - Analog to Digital Converters參考類型:External采樣和保持:Yes工廠包裝數(shù)量:50子類別:Data Converter ICs類型:S/H ADC寬度:3 mm單位重量:143.200 mg

ArraySense技術(shù)具有全面的片上傳感器網(wǎng)絡(luò)，能夠讓用戶在陣列工作時(shí)監(jiān)測(cè)IC性能，并能實(shí)時(shí)做出關(guān)鍵修正。RapidBeam先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)可以同時(shí)針對(duì)多個(gè)波束成形器IC進(jìn)行同步和異步控制，實(shí)現(xiàn)超快速波束控制操作。

裸片封裝工藝允許在電路板上做更為有效的熱管理，可以從IC背面改善散熱。

此外,瑞薩設(shè)計(jì)的封裝引腳簡化了電路板設(shè)計(jì),降低了設(shè)計(jì)難度和風(fēng)險(xiǎn)。較低復(fù)雜度的PCB設(shè)計(jì)會(huì)采用盡可能少的板層數(shù),這不但可以節(jié)省電路板成本，也可加快產(chǎn)品上市速度。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

1M位MRAM存儲(chǔ)器能消除電子設(shè)備中共同問題，如計(jì)算機(jī)和手機(jī)的上電慢，數(shù)據(jù)遺失，裝載數(shù)據(jù)長時(shí)間等待，電池壽命短等。MRAM設(shè)計(jì)成允許所有的程序和數(shù)據(jù)保持在局部的存儲(chǔ)器，即使在電源關(guān)斷時(shí)。它也能期望消除手機(jī)開機(jī)時(shí)的延時(shí)。

用一個(gè)晶體管(1T)和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM，其讀寫周期小于50ns。

64K位X16位存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)是根據(jù)0.6umCMOS工藝，在200mm襯底用銅互連來制造。在銅互連導(dǎo)線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍。

制造商:Analog Devices Inc.產(chǎn)品種類:模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADCRoHS: 系列:安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:MSOP-10分辨率:16 bit通道數(shù)量:1 Channel接口類型:SPI采樣比:500 kS/s輸入類型:Differential結(jié)構(gòu):SAR模擬電源電壓:5 V數(shù)字電源電壓:1.8 V to 5.5 VSNR – 信噪比:92.7 dB最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Tube商標(biāo):Analog DevicesDNL - 微分非線性:- 1 LSB/1.5 LSB增益誤差:+/- 6 LSB高度:0.85 mmINL - 積分非線性:+/- 2 LSB輸入電壓:5 V長度:3 mmADC 輸入端數(shù)量:1 Input轉(zhuǎn)換器數(shù)量:1 Converter工作電源電壓:5 VPd-功率耗散:21.5 mW功耗:15 mW產(chǎn)品類型:ADCs - Analog to Digital Converters參考類型:External采樣和保持:Yes工廠包裝數(shù)量:50子類別:Data Converter ICs類型:S/H ADC寬度:3 mm單位重量:143.200 mg

ArraySense技術(shù)具有全面的片上傳感器網(wǎng)絡(luò)，能夠讓用戶在陣列工作時(shí)監(jiān)測(cè)IC性能，并能實(shí)時(shí)做出關(guān)鍵修正。RapidBeam先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)可以同時(shí)針對(duì)多個(gè)波束成形器IC進(jìn)行同步和異步控制，實(shí)現(xiàn)超快速波束控制操作。

裸片封裝工藝允許在電路板上做更為有效的熱管理，可以從IC背面改善散熱。

此外,瑞薩設(shè)計(jì)的封裝引腳簡化了電路板設(shè)計(jì),降低了設(shè)計(jì)難度和風(fēng)險(xiǎn)。較低復(fù)雜度的PCB設(shè)計(jì)會(huì)采用盡可能少的板層數(shù),這不但可以節(jié)省電路板成本，也可加快產(chǎn)品上市速度。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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