DDR DIMM存儲(chǔ)器模塊DDR333，目標(biāo)應(yīng)用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)計(jì)算機(jī)服務(wù)器和工作站。采用36個(gè)256M位FBGA封裝的存儲(chǔ)器器芯片，184引腳模塊比用TSOP封裝的同樣容量的模塊，板面積要小60%。

此外，由于封裝引起的寄生參數(shù)在數(shù)據(jù)引腳減小50%，其負(fù)載電感為3.0nH,電容為0.32pF,電阻為0.12歐姆。

總?cè)萘繛?28M字節(jié)X72，分成兩組，2.5V為工作電源，1.25V為信號(hào)電壓。

制造商:Panasonic產(chǎn)品種類(lèi):鋁有機(jī)聚合物電容器RoHS: 詳細(xì)信息產(chǎn)品:Aluminum Hybrid Polymer Capacitors端接類(lèi)型:SMD/SMT封裝類(lèi)型:Can電容:150 uF電壓額定值 DC:35 VDC容差:20 %ESR:27 mOhms最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 125 C直徑:8 mm長(zhǎng)度:10.2 mm高度:10.5 mm紋波電流:1.6 A壽命:4000 Hour資格:AEC-Q200系列:ZC封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Panasonic產(chǎn)品類(lèi)型:Electrolytic Capacitors工廠包裝數(shù)量:500子類(lèi)別:Capacitors單位重量:1 g

16串電芯電壓測(cè)量

內(nèi)部（10mA）和外部（200mA）電芯平衡選項(xiàng)

工作電壓范圍為12-55V，電壓測(cè)量精度為+/-10mV

最多可減少20cm2電路板面積

低側(cè)電流感應(yīng)測(cè)量

高側(cè)充電/放電FET電池保護(hù)

(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）