VCSEL設(shè)計集中在高反射率低損耗DBR和有源區(qū)在腔內(nèi)位置
發(fā)布時間:2021/11/15 23:36:57 訪問次數(shù):448
0.6V的內(nèi)部帶隙,使系統(tǒng)可以利用 85% 輸入電壓 (Vin) 提供低至 0.6V 的輸出電壓。
開關(guān)頻率由50kHz至2MHz,使客戶可以按照個別需要設(shè)計系統(tǒng),以便系統(tǒng)的體積及效率都能同時兼顧,使系統(tǒng)更完美。
同步轉(zhuǎn)換功能可在低占空比度或低輸出電壓的操作情況下發(fā)揮高達(dá) 95% 的轉(zhuǎn)換效率。
采用TSSOP-14封裝,這種封裝若搭配極少量小巧的外部元件以及獲得 2MHz 時鐘的支持,便可成為全球最高供電密度的解決方案,即以同一印刷電路板面積計所輸出的供電瓦數(shù) (W) 為最高 。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電
類型: High Side
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 13 A
導(dǎo)通電阻—最大值: 16 mOhms
運(yùn)行時間—最大值: 350 us
空閑時間—最大值: 350 us
工作電源電壓: 9 V to 16 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-220-7
系列: High-Current PROFET
資格: AEC-Q100
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品: Power Switches
產(chǎn)品類型: Power Switch ICs - Power Distribution
子類別: Switch ICs
電源電壓-最大: 30 V
電源電壓-最小: 5.5 V
商標(biāo)名: PROFET
零件號別名: SP000385909 BTS581TMAXT BTS500801TMAATMA1
單位重量: 260.400 mg
VCSEL 的半導(dǎo)體多層模反射鏡 DBR 是由 GaAs/AlAs 構(gòu)成的,經(jīng)蝕刻使之成為 air-post(臺面)結(jié)構(gòu)。在高溫水蒸汽中將 AlAs 層氧化,變?yōu)橛薪^緣性的 AlxOy 層,其折射率也大大降低,因而成為把光、載流子限制在垂直方向的結(jié)構(gòu)。
對 VCSEL 的設(shè)計集中在高反射率、低損耗的 DBR 和有源區(qū)在腔內(nèi)的位置。
VCSEL有源區(qū)的體積小、腔短,這就決定了它容易實現(xiàn)單縱模、低閾值(亞毫安級)電流工作,但是為了得到足夠高的增益,其腔鏡的反射率必須達(dá)到99%。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
0.6V的內(nèi)部帶隙,使系統(tǒng)可以利用 85% 輸入電壓 (Vin) 提供低至 0.6V 的輸出電壓。
開關(guān)頻率由50kHz至2MHz,使客戶可以按照個別需要設(shè)計系統(tǒng),以便系統(tǒng)的體積及效率都能同時兼顧,使系統(tǒng)更完美。
同步轉(zhuǎn)換功能可在低占空比度或低輸出電壓的操作情況下發(fā)揮高達(dá) 95% 的轉(zhuǎn)換效率。
采用TSSOP-14封裝,這種封裝若搭配極少量小巧的外部元件以及獲得 2MHz 時鐘的支持,便可成為全球最高供電密度的解決方案,即以同一印刷電路板面積計所輸出的供電瓦數(shù) (W) 為最高 。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電
類型: High Side
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 13 A
導(dǎo)通電阻—最大值: 16 mOhms
運(yùn)行時間—最大值: 350 us
空閑時間—最大值: 350 us
工作電源電壓: 9 V to 16 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-220-7
系列: High-Current PROFET
資格: AEC-Q100
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品: Power Switches
產(chǎn)品類型: Power Switch ICs - Power Distribution
子類別: Switch ICs
電源電壓-最大: 30 V
電源電壓-最小: 5.5 V
商標(biāo)名: PROFET
零件號別名: SP000385909 BTS581TMAXT BTS500801TMAATMA1
單位重量: 260.400 mg
VCSEL 的半導(dǎo)體多層模反射鏡 DBR 是由 GaAs/AlAs 構(gòu)成的,經(jīng)蝕刻使之成為 air-post(臺面)結(jié)構(gòu)。在高溫水蒸汽中將 AlAs 層氧化,變?yōu)橛薪^緣性的 AlxOy 層,其折射率也大大降低,因而成為把光、載流子限制在垂直方向的結(jié)構(gòu)。
對 VCSEL 的設(shè)計集中在高反射率、低損耗的 DBR 和有源區(qū)在腔內(nèi)的位置。
VCSEL有源區(qū)的體積小、腔短,這就決定了它容易實現(xiàn)單縱模、低閾值(亞毫安級)電流工作,但是為了得到足夠高的增益,其腔鏡的反射率必須達(dá)到99%。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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