與萬用表測電阻的大多數(shù)方法一樣，在使用指針式萬用表檢測正溫度系數(shù)熱敏電阻好壞情況時(shí)，我們需要將萬用表調(diào)到R×1擋，具體的操作步驟可分兩步。

用萬用表監(jiān)測其電阻值是否隨溫度的升高而增大，如果是，說明熱敏電阻正常，若阻值無變化則說明其性能不好，不能繼續(xù)使用。

將兩表筆接觸PTC熱敏電阻的兩引腳測出其實(shí)際阻值，并與標(biāo)稱阻值相對(duì)比，二者相差在±2Ω內(nèi)即為正常。實(shí)際阻值若與標(biāo)稱阻值相差過大，則說明其性能不良或已損壞。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 114 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 61 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 4 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 46 S

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4 ns

系列: OptiMOS 5

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns

典型接通延遲時(shí)間: 14 ns

寬度: 9.25 mm

零件號(hào)別名: IPB073N15N5 SP001180660

單位重量: 4 g

數(shù)字基帶芯片,可用在HD Radio技術(shù)中,該技術(shù)以前稱作"帶內(nèi)通道"(In Band On Channel (IBOC))。該芯片能處理HD Radio技術(shù)中基帶的所有過程，它結(jié)合TI在數(shù)字信號(hào)處理和iBiquity數(shù)字公司的IBOC數(shù)字AM和FM專利技術(shù),使無線電廣播設(shè)備制造商能把這一新的數(shù)字接收技術(shù)帶到家庭和汽車中的接收器中。

它降低了充電時(shí)間，提升了總的充電質(zhì)量，但輸入電壓關(guān)閉時(shí)降低了電池的漏電。

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