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55nm先進(jìn)制程工藝的SPI NOR Flash上百億條銅互連線

發(fā)布時(shí)間:2021/11/18 17:56:37 訪問次數(shù):432

SPI NOR Flash已經(jīng)擁有26個(gè)產(chǎn)品線系列,16種產(chǎn)品容量,7種溫度規(guī)格,4個(gè)電壓范圍以及25種封裝方式。

兆易創(chuàng)新的策略一直緊密結(jié)合市場(chǎng)的動(dòng)態(tài),依靠產(chǎn)品定義與特點(diǎn)推出不同性能的產(chǎn)品,滿足客戶多樣化的需求,逐漸覆蓋工業(yè)、消費(fèi),甚至汽車等領(lǐng)域。

兆易創(chuàng)新55nm先進(jìn)制程工藝的SPI NOR Flash已進(jìn)入全線量產(chǎn)階段,相較前一代產(chǎn)品性能更高、容量更豐富、功耗也更低。針對(duì)車用市場(chǎng)也推出了車規(guī)級(jí)3.0v、1.8v SPI NOR Flash產(chǎn)品,容量涵蓋2Mb-2Gb,滿足不同的車載應(yīng)用需求。


每個(gè)智能手機(jī)芯片中有上百億條銅互連線,光是布線的耗電量就占到整個(gè)芯片三分之一。

在真空條件下整合多種工藝技術(shù)使我們能夠重新設(shè)計(jì)材料和結(jié)構(gòu),從而讓消費(fèi)者擁有功能更強(qiáng)大和續(xù)航時(shí)間更長的設(shè)備。這種獨(dú)特的整合解決方案旨在幫助客戶改善性能、功率和面積成本。

Endura Copper Barrier Seed IMS系統(tǒng)現(xiàn)被客戶運(yùn)用在全球領(lǐng)先邏輯節(jié)點(diǎn)代工廠生產(chǎn)中。


半導(dǎo)體晶圓代工、封測(cè)的成本上漲,且需求增加,已經(jīng)調(diào)漲部分利基型DRAM與NOR Flash報(bào)價(jià),利基型DRAM和NOR Flash設(shè)計(jì)大廠——晶豪科(ESMT)在法說會(huì)上證實(shí),已將部分利基型DRAM和NOR Flash價(jià)格調(diào)漲,預(yù)估明年可望進(jìn)一步上調(diào)。

晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求,近來晶圓代工與封測(cè)成本增加,價(jià)格也會(huì)相對(duì)應(yīng)調(diào)整,現(xiàn)有部分利基型DRAM 產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格已調(diào)漲,合約價(jià)方面則將從明年第一季起調(diào)漲。若產(chǎn)能吃緊情況短期內(nèi)無解,不排除在明年第一、二季調(diào)漲價(jià)格的可能。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)




SPI NOR Flash已經(jīng)擁有26個(gè)產(chǎn)品線系列,16種產(chǎn)品容量,7種溫度規(guī)格,4個(gè)電壓范圍以及25種封裝方式。

兆易創(chuàng)新的策略一直緊密結(jié)合市場(chǎng)的動(dòng)態(tài),依靠產(chǎn)品定義與特點(diǎn)推出不同性能的產(chǎn)品,滿足客戶多樣化的需求,逐漸覆蓋工業(yè)、消費(fèi),甚至汽車等領(lǐng)域。

兆易創(chuàng)新55nm先進(jìn)制程工藝的SPI NOR Flash已進(jìn)入全線量產(chǎn)階段,相較前一代產(chǎn)品性能更高、容量更豐富、功耗也更低。針對(duì)車用市場(chǎng)也推出了車規(guī)級(jí)3.0v、1.8v SPI NOR Flash產(chǎn)品,容量涵蓋2Mb-2Gb,滿足不同的車載應(yīng)用需求。


每個(gè)智能手機(jī)芯片中有上百億條銅互連線,光是布線的耗電量就占到整個(gè)芯片三分之一。

在真空條件下整合多種工藝技術(shù)使我們能夠重新設(shè)計(jì)材料和結(jié)構(gòu),從而讓消費(fèi)者擁有功能更強(qiáng)大和續(xù)航時(shí)間更長的設(shè)備。這種獨(dú)特的整合解決方案旨在幫助客戶改善性能、功率和面積成本。

Endura Copper Barrier Seed IMS系統(tǒng)現(xiàn)被客戶運(yùn)用在全球領(lǐng)先邏輯節(jié)點(diǎn)代工廠生產(chǎn)中。


半導(dǎo)體晶圓代工、封測(cè)的成本上漲,且需求增加,已經(jīng)調(diào)漲部分利基型DRAM與NOR Flash報(bào)價(jià),利基型DRAM和NOR Flash設(shè)計(jì)大廠——晶豪科(ESMT)在法說會(huì)上證實(shí),已將部分利基型DRAM和NOR Flash價(jià)格調(diào)漲,預(yù)估明年可望進(jìn)一步上調(diào)。

晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求,近來晶圓代工與封測(cè)成本增加,價(jià)格也會(huì)相對(duì)應(yīng)調(diào)整,現(xiàn)有部分利基型DRAM 產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格已調(diào)漲,合約價(jià)方面則將從明年第一季起調(diào)漲。若產(chǎn)能吃緊情況短期內(nèi)無解,不排除在明年第一、二季調(diào)漲價(jià)格的可能。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)




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