高質(zhì)量超級扭曲向列(STN)和薄膜晶體管(TFT)產(chǎn)生脈寬
發(fā)布時(shí)間:2021/11/16 12:28:59 訪問次數(shù):479
新型1.1瓦單聲道無濾波器D類音頻功率放大器。當(dāng)每次將CCPR1L中的數(shù)據(jù)再載入CCPR1H時(shí),RC2/CCP1輸出高電平;當(dāng)定時(shí)/計(jì)數(shù)器TMR2的計(jì)數(shù)值等于CCPR1H的值時(shí),RC2/CCP1輸出低電平,產(chǎn)生脈寬。
同TPA200xDx系列的其它產(chǎn)品相似,TPA2005D1無需輸出濾波器,但效率卻高達(dá)85%以上,有助于延長電池壽命。
該方案包含4個元器件:一塊集成電路(IC)、兩個電阻和一個電容。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 70 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 14 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 35 ns
系列: OptiMOS 3
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns
典型接通延遲時(shí)間: 25 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB72N15N3GXT SP000386664 IPB072N15N3GATMA1
單位重量: 4 g

主要特性有:
USB 1.1控制器,它能使個人計(jì)算機(jī)和外設(shè)進(jìn)行高速通信。
LCD控制器,支持高質(zhì)量超級扭曲向列(STN)和薄膜晶體管(TFT),256和4096種色彩。
同步動態(tài)隨機(jī)存儲器(SDRAM)和NAND閃存的控制器。
完全和東芝的16位微處理器TLCS-900/L, TLCS-900/L1 and TLCS-900/H核兼容。
C編譯器能有效地編碼。
開發(fā)環(huán)境支持東芝實(shí)時(shí)仿真器15和25型控制器。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
新型1.1瓦單聲道無濾波器D類音頻功率放大器。當(dāng)每次將CCPR1L中的數(shù)據(jù)再載入CCPR1H時(shí),RC2/CCP1輸出高電平;當(dāng)定時(shí)/計(jì)數(shù)器TMR2的計(jì)數(shù)值等于CCPR1H的值時(shí),RC2/CCP1輸出低電平,產(chǎn)生脈寬。
同TPA200xDx系列的其它產(chǎn)品相似,TPA2005D1無需輸出濾波器,但效率卻高達(dá)85%以上,有助于延長電池壽命。
該方案包含4個元器件:一塊集成電路(IC)、兩個電阻和一個電容。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 70 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 14 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 35 ns
系列: OptiMOS 3
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns
典型接通延遲時(shí)間: 25 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB72N15N3GXT SP000386664 IPB072N15N3GATMA1
單位重量: 4 g

主要特性有:
USB 1.1控制器,它能使個人計(jì)算機(jī)和外設(shè)進(jìn)行高速通信。
LCD控制器,支持高質(zhì)量超級扭曲向列(STN)和薄膜晶體管(TFT),256和4096種色彩。
同步動態(tài)隨機(jī)存儲器(SDRAM)和NAND閃存的控制器。
完全和東芝的16位微處理器TLCS-900/L, TLCS-900/L1 and TLCS-900/H核兼容。
C編譯器能有效地編碼。
開發(fā)環(huán)境支持東芝實(shí)時(shí)仿真器15和25型控制器。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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