16位帶48000字的片上在無(wú)輸出濾波器情況下運(yùn)行
發(fā)布時(shí)間:2021/11/16 12:41:17 訪問(wèn)次數(shù):985
ADSP-21992具有CAN(控制器區(qū)域網(wǎng))接口和片上RAM,能使DSP適合用在工業(yè)馬達(dá)控制,不間斷電源(UPS)和手提儀器市場(chǎng)。
像它的以前產(chǎn)品一樣,ADSP-21992有C-可編程ADSP-219核和模擬集成,提供大動(dòng)態(tài)范圍和快取樣速率。
ADSP-21992集成160 MIPS,16位帶48000字的片上RAM的ADSP-219X核,有兩個(gè)取樣和保持放大器的8通道14位20M取樣/秒ADC和用在馬達(dá)和開(kāi)關(guān)電源控制的三相PWM產(chǎn)生器。
DSP還有增量編碼器接口,計(jì)時(shí)器,串行通信接口,SPI接口,看門(mén)狗計(jì)時(shí)器,中斷控制器。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 70 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 66 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 8 ns
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
系列: XPB70N10
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 17 ns
寬度: 9.25 mm
零件號(hào)別名: IPB70N10S3-12 SP000261246
單位重量: 4 g
TPA2005D1采用表面貼裝15焊球MicroStarTM BGA封裝。
使用TPA200xDx器件,任何帶有音頻功能(如筆記本電腦、PDA和蜂窩電話)的熱敏感或電池供電設(shè)備都能從中受益。
即將推出的產(chǎn)品將進(jìn)一步根據(jù)用戶不同的需求而增加更豐富的功能,如增加音量控制等。
ADSP-21992具有CAN(控制器區(qū)域網(wǎng))接口和片上RAM,能使DSP適合用在工業(yè)馬達(dá)控制,不間斷電源(UPS)和手提儀器市場(chǎng)。
像它的以前產(chǎn)品一樣,ADSP-21992有C-可編程ADSP-219核和模擬集成,提供大動(dòng)態(tài)范圍和快取樣速率。
ADSP-21992集成160 MIPS,16位帶48000字的片上RAM的ADSP-219X核,有兩個(gè)取樣和保持放大器的8通道14位20M取樣/秒ADC和用在馬達(dá)和開(kāi)關(guān)電源控制的三相PWM產(chǎn)生器。
DSP還有增量編碼器接口,計(jì)時(shí)器,串行通信接口,SPI接口,看門(mén)狗計(jì)時(shí)器,中斷控制器。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 70 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 66 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 8 ns
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
系列: XPB70N10
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 17 ns
寬度: 9.25 mm
零件號(hào)別名: IPB70N10S3-12 SP000261246
單位重量: 4 g
TPA2005D1采用表面貼裝15焊球MicroStarTM BGA封裝。
使用TPA200xDx器件,任何帶有音頻功能(如筆記本電腦、PDA和蜂窩電話)的熱敏感或電池供電設(shè)備都能從中受益。
即將推出的產(chǎn)品將進(jìn)一步根據(jù)用戶不同的需求而增加更豐富的功能,如增加音量控制等。
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