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80瓦等級的DMTH8001STLWQ金屬氧化物半導體場效晶體管

發(fā)布時間:2021/11/18 22:16:48 訪問次數(shù):111

電化學模塊方案的產(chǎn)品型號為MCUM355,是基于ADI公司的平臺級芯片ADUCM355,由駿龍科技開發(fā)而成。它集成了高性能模擬電路、溫濕度傳感器與處理器,預留了豐富的外圍接口,可以兼容氣體探測、水質(zhì)檢測、生物阻抗分析、血糖測量、食品分析等多種應(yīng)用。

MCUM355的實物圖模塊為2*2cm尺寸的郵票孔模塊形式、通過串口交互數(shù)據(jù),易于集成和使用。模塊采用3.3V供電,常規(guī)工作電流為5mA,在低功耗或休眠情況下消耗電流僅為幾uA。

MCUM355的板上包含1只ADUCM355芯片、1只LTC6078高阻運放、1只SHT31型號的溫濕度傳感器、以及一些必要的外圍被動器件。

IGBT作為一種新型的電力電子器件,鑒于其導通電阻小、開關(guān)速度快、工作頻率高等特點,可以通過提高功率轉(zhuǎn)換、傳送和控制的效率來達到節(jié)約能源、提高工業(yè)控制水平的目的。

IGBT能夠根據(jù)裝置中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率和相位等,以達到精準控制的目的,被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”,也是公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。

IGBT模塊是變頻器、逆變焊機等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件。一方面,IGBT在此領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,另一方面,隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場的逐步回暖,IGBT模塊的市場規(guī)模也將得到穩(wěn)健增長。

節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封裝,能在 175°C、100 瓦等級的DMTH10H1M7STLWQ及DMTH10H2M5STLWQ下運作,另外,80 瓦等級的DMTH8001STLWQ金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。

產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇,像是能量熱回收、積體啟動交流發(fā)電機以及電動汽車的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

TOLL封裝采條帶鍵合封裝以達低封裝電阻及較低的寄生電感,使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能夠在 10 W閘極驅(qū)動器下產(chǎn)生 1.3mΩ、1.4mΩ和 1.68mΩ的典型寄通電阻。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

電化學模塊方案的產(chǎn)品型號為MCUM355,是基于ADI公司的平臺級芯片ADUCM355,由駿龍科技開發(fā)而成。它集成了高性能模擬電路、溫濕度傳感器與處理器,預留了豐富的外圍接口,可以兼容氣體探測、水質(zhì)檢測、生物阻抗分析、血糖測量、食品分析等多種應(yīng)用。

MCUM355的實物圖模塊為2*2cm尺寸的郵票孔模塊形式、通過串口交互數(shù)據(jù),易于集成和使用。模塊采用3.3V供電,常規(guī)工作電流為5mA,在低功耗或休眠情況下消耗電流僅為幾uA。

MCUM355的板上包含1只ADUCM355芯片、1只LTC6078高阻運放、1只SHT31型號的溫濕度傳感器、以及一些必要的外圍被動器件。

IGBT作為一種新型的電力電子器件,鑒于其導通電阻小、開關(guān)速度快、工作頻率高等特點,可以通過提高功率轉(zhuǎn)換、傳送和控制的效率來達到節(jié)約能源、提高工業(yè)控制水平的目的。

IGBT能夠根據(jù)裝置中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率和相位等,以達到精準控制的目的,被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”,也是公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。

IGBT模塊是變頻器、逆變焊機等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件。一方面,IGBT在此領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,另一方面,隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場的逐步回暖,IGBT模塊的市場規(guī)模也將得到穩(wěn)健增長。

節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封裝,能在 175°C、100 瓦等級的DMTH10H1M7STLWQ及DMTH10H2M5STLWQ下運作,另外,80 瓦等級的DMTH8001STLWQ金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。

產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇,像是能量熱回收、積體啟動交流發(fā)電機以及電動汽車的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

TOLL封裝采條帶鍵合封裝以達低封裝電阻及較低的寄生電感,使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能夠在 10 W閘極驅(qū)動器下產(chǎn)生 1.3mΩ、1.4mΩ和 1.68mΩ的典型寄通電阻。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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