100V的標(biāo)稱電源為高達300瓦的低電壓ASIC供電
發(fā)布時間:2021/11/22 12:49:09 訪問次數(shù):1015
數(shù)字主權(quán)分層檢視模型,可從八個不同Level層級,涵蓋從最基礎(chǔ)Level 0的原料、Level 1關(guān)鍵零組件、Level 2為通訊基礎(chǔ)設(shè)施.
依序往上到Level 7框架性的歐洲法規(guī)與價值系統(tǒng)分層檢視德國(及歐盟)看到德國在這些不同領(lǐng)域建置數(shù)字主權(quán)的最新進展與規(guī)劃,可作為政府與企業(yè)檢視自身數(shù)字主權(quán)建置缺口的參考依據(jù)。
德國政府同步于關(guān)鍵零組件、通訊基礎(chǔ)設(shè)施、平臺及軟件與相關(guān)法規(guī)等領(lǐng)域展開落實建構(gòu)國家數(shù)字主權(quán)計劃,以期未來在數(shù)字世界具可自主自決、掌握技術(shù)能力。
電池管理系統(tǒng):電壓監(jiān)測、機械式繼電器吸持檢測、接地故障檢測等
模擬信號的反饋等
特性:
高集電極-發(fā)射極擊穿電壓:V(BR)CEO=200V(最小值)
高電流傳輸比:IC/IF=100%(最小值),GB等級
高隔離電壓:BVS=3750Vrms(最小值)
寬額定工作溫度范圍:Topr=-40℃至125℃
AEC-Q101認(rèn)證
IATF 16949認(rèn)證
輻射容錯 DC-DC 轉(zhuǎn)換器電源模塊,該模塊采用 Vicor 最新電鍍 SM-ChiP™ 封裝。
ChiP可從100V的標(biāo)稱電源為高達 300 瓦的低電壓 ASIC 供電,其經(jīng)過波音公司測試,不僅能夠抵抗50 krad電離總劑量,而且還具備抗單粒子干擾(single-event upsets)的功能。
該解決方案直接從 100V 電源為 ASIC 供電,采用極少的外部組件,支持低噪聲工作。
所有模塊都采用 Vicor 高密度 SM-ChiP 封裝,為上下表面提供有 BGA(球柵陣列)連接和可選焊料掩模。ChiP 的工作溫度為 -30 ~ 125°C。
數(shù)字主權(quán)分層檢視模型,可從八個不同Level層級,涵蓋從最基礎(chǔ)Level 0的原料、Level 1關(guān)鍵零組件、Level 2為通訊基礎(chǔ)設(shè)施.
依序往上到Level 7框架性的歐洲法規(guī)與價值系統(tǒng)分層檢視德國(及歐盟)看到德國在這些不同領(lǐng)域建置數(shù)字主權(quán)的最新進展與規(guī)劃,可作為政府與企業(yè)檢視自身數(shù)字主權(quán)建置缺口的參考依據(jù)。
德國政府同步于關(guān)鍵零組件、通訊基礎(chǔ)設(shè)施、平臺及軟件與相關(guān)法規(guī)等領(lǐng)域展開落實建構(gòu)國家數(shù)字主權(quán)計劃,以期未來在數(shù)字世界具可自主自決、掌握技術(shù)能力。
電池管理系統(tǒng):電壓監(jiān)測、機械式繼電器吸持檢測、接地故障檢測等
模擬信號的反饋等
特性:
高集電極-發(fā)射極擊穿電壓:V(BR)CEO=200V(最小值)
高電流傳輸比:IC/IF=100%(最小值),GB等級
高隔離電壓:BVS=3750Vrms(最小值)
寬額定工作溫度范圍:Topr=-40℃至125℃
AEC-Q101認(rèn)證
IATF 16949認(rèn)證
輻射容錯 DC-DC 轉(zhuǎn)換器電源模塊,該模塊采用 Vicor 最新電鍍 SM-ChiP™ 封裝。
ChiP可從100V的標(biāo)稱電源為高達 300 瓦的低電壓 ASIC 供電,其經(jīng)過波音公司測試,不僅能夠抵抗50 krad電離總劑量,而且還具備抗單粒子干擾(single-event upsets)的功能。
該解決方案直接從 100V 電源為 ASIC 供電,采用極少的外部組件,支持低噪聲工作。
所有模塊都采用 Vicor 高密度 SM-ChiP 封裝,為上下表面提供有 BGA(球柵陣列)連接和可選焊料掩模。ChiP 的工作溫度為 -30 ~ 125°C。
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