硅基的MOSFET在600V以下的應(yīng)用中占據(jù)主流遠(yuǎn)低于預(yù)期
發(fā)布時間:2021/12/1 8:54:39 訪問次數(shù):1245
功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為發(fā)電、輸配電、用電等多個領(lǐng)域的核心器件。
功率半導(dǎo)體能夠創(chuàng)造新的電能生產(chǎn)和應(yīng)用方式,比如電動汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、工業(yè)和民用領(lǐng)域電氣化,從而減少化石能源的使用.
例如用于發(fā)電的光伏逆變器、風(fēng)電變流器等設(shè)備,用于輸配電領(lǐng)域的直流換流閥、交直流斷路器、統(tǒng)一潮流控制器設(shè)備,用電領(lǐng)域的電動汽車電驅(qū)、電力機車電驅(qū)設(shè)備、充電樁、儲能換流器、工業(yè)變頻器或變流器等設(shè)備中,均是功率半導(dǎo)體發(fā)揮著突出作用。
一種利用各向同性反應(yīng)離子蝕刻或原子層蝕刻實現(xiàn)子鰭寬度見效的新方案。
溝道釋放是實現(xiàn)GAA器件高遷移率溝道導(dǎo)入集成的另外一個關(guān)鍵技術(shù),需要高選擇比去除犧牲層并保留溝道層;溝道釋放主要分為干法刻蝕與濕法腐蝕工藝。

計劃明年上市的LTPSTFT為基礎(chǔ)的Micro LED電視型號有89英寸,101英寸和114英寸3種。
三星電子采用LTPS TFT的關(guān)鍵在于制造成本。三星電子對于12.7英寸LTPS TFT的制造成本預(yù)估值在70至80美元,但業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,制造成本可能超這一預(yù)測值的兩倍。主要原因是良率或遠(yuǎn)低于預(yù)期。
將顯示屏模塊像瓷磚一樣連接在一起的Micro LED需要數(shù)十個LTPS TFT。因此,成品所需的TFT制造成本高達(dá)數(shù)千美元。從不同尺寸的Micro LED對 12.7英寸LTPS TFT的需求量情況看,89英寸的型號需要49個(7x7), 101英寸的型號需要64個(8x8), 114英寸的型號需要81個(9x9)。
(素材來源:21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為發(fā)電、輸配電、用電等多個領(lǐng)域的核心器件。
功率半導(dǎo)體能夠創(chuàng)造新的電能生產(chǎn)和應(yīng)用方式,比如電動汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、工業(yè)和民用領(lǐng)域電氣化,從而減少化石能源的使用.
例如用于發(fā)電的光伏逆變器、風(fēng)電變流器等設(shè)備,用于輸配電領(lǐng)域的直流換流閥、交直流斷路器、統(tǒng)一潮流控制器設(shè)備,用電領(lǐng)域的電動汽車電驅(qū)、電力機車電驅(qū)設(shè)備、充電樁、儲能換流器、工業(yè)變頻器或變流器等設(shè)備中,均是功率半導(dǎo)體發(fā)揮著突出作用。
一種利用各向同性反應(yīng)離子蝕刻或原子層蝕刻實現(xiàn)子鰭寬度見效的新方案。
溝道釋放是實現(xiàn)GAA器件高遷移率溝道導(dǎo)入集成的另外一個關(guān)鍵技術(shù),需要高選擇比去除犧牲層并保留溝道層;溝道釋放主要分為干法刻蝕與濕法腐蝕工藝。

計劃明年上市的LTPSTFT為基礎(chǔ)的Micro LED電視型號有89英寸,101英寸和114英寸3種。
三星電子采用LTPS TFT的關(guān)鍵在于制造成本。三星電子對于12.7英寸LTPS TFT的制造成本預(yù)估值在70至80美元,但業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,制造成本可能超這一預(yù)測值的兩倍。主要原因是良率或遠(yuǎn)低于預(yù)期。
將顯示屏模塊像瓷磚一樣連接在一起的Micro LED需要數(shù)十個LTPS TFT。因此,成品所需的TFT制造成本高達(dá)數(shù)千美元。從不同尺寸的Micro LED對 12.7英寸LTPS TFT的需求量情況看,89英寸的型號需要49個(7x7), 101英寸的型號需要64個(8x8), 114英寸的型號需要81個(9x9)。
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