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數(shù)據(jù)存儲硬件在10%負(fù)載條件下的電源能效水平達(dá)90%

發(fā)布時間:2021/12/8 17:43:39 訪問次數(shù):296

SD2015使用相位連續(xù)的頻移鍵控FSK技術(shù),傳輸速率為1200位/秒,采用半雙工通信,符合HART協(xié)議物理層要求。芯片的典型工作電流值在5V電壓時為150μA,3.3V時為90μA,低于現(xiàn)有的其他HART調(diào)制解調(diào)器芯片。誤碼率小于百萬分之一,是HART協(xié)議要求的百分之一。

HART,可尋址遠(yuǎn)程傳感器高速通道的開放通訊協(xié)議,是一種用于現(xiàn)場智能儀表和控制室之間的通訊協(xié)議。協(xié)議采用基于Bell202標(biāo)準(zhǔn)的FSK頻移鍵控信號,在低頻的4~20mA模擬信號上疊加幅值為0.5mA的音頻數(shù)字信號進(jìn)行雙向數(shù)字通訊。

80 Plus Titanium認(rèn)證以應(yīng)對氣候變化為目標(biāo),要求服務(wù)器和數(shù)據(jù)存儲硬件在10%負(fù)載條件下的電源能效水平達(dá)90%,在處理50%負(fù)載時的能效達(dá)96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求,提供強固的方案,確保持續(xù)的系統(tǒng)可靠性。

FAST版本在硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(如高端PFC)中提供極高能效,并經(jīng)過優(yōu)化以提供更低的門極電荷(Qg)和EOSS損耗,實現(xiàn)快速開關(guān)。

兩款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)為99mW和120 mW,均采用TO-247封裝。

汽車電子設(shè)備需要能夠承受很大的電壓變化范圍。例如從9V到40V,這是因為汽車的電源是由充電發(fā)動機向蓄電池充電而產(chǎn)生的。

雖然蓄電池的電壓只不過是12V或24V,但是考慮到,充電發(fā)電機在充電時會產(chǎn)生很高的電壓。而且一旦蓄電池開路,還會產(chǎn)生更高的電壓。而負(fù)載要求的電壓可能是相對固定的,例如,假定負(fù)載為4個3W的LED或者4串4個1瓦的LED,就要13.2V左右的輸出電壓。

對于蓄電池電壓為12V的汽車,它的電壓就可能在9V-24V范圍內(nèi)變化。

(素材來源:eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

SD2015使用相位連續(xù)的頻移鍵控FSK技術(shù),傳輸速率為1200位/秒,采用半雙工通信,符合HART協(xié)議物理層要求。芯片的典型工作電流值在5V電壓時為150μA,3.3V時為90μA,低于現(xiàn)有的其他HART調(diào)制解調(diào)器芯片。誤碼率小于百萬分之一,是HART協(xié)議要求的百分之一。

HART,可尋址遠(yuǎn)程傳感器高速通道的開放通訊協(xié)議,是一種用于現(xiàn)場智能儀表和控制室之間的通訊協(xié)議。協(xié)議采用基于Bell202標(biāo)準(zhǔn)的FSK頻移鍵控信號,在低頻的4~20mA模擬信號上疊加幅值為0.5mA的音頻數(shù)字信號進(jìn)行雙向數(shù)字通訊。

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兩款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)為99mW和120 mW,均采用TO-247封裝。

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雖然蓄電池的電壓只不過是12V或24V,但是考慮到,充電發(fā)電機在充電時會產(chǎn)生很高的電壓。而且一旦蓄電池開路,還會產(chǎn)生更高的電壓。而負(fù)載要求的電壓可能是相對固定的,例如,假定負(fù)載為4個3W的LED或者4串4個1瓦的LED,就要13.2V左右的輸出電壓。

對于蓄電池電壓為12V的汽車,它的電壓就可能在9V-24V范圍內(nèi)變化。

(素材來源:eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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