超低功耗 78K0/Ix2 器件，通過采用兩個(gè)獨(dú)立的具有高速脈沖調(diào)制（PWM）輸出的16 位定時(shí)器、三個(gè)內(nèi)部比較器、一個(gè)單信道可編程增益運(yùn)算放大器，以及具有廣泛的工作溫度范圍（-40至 +105 攝氏度），而超乎于同類產(chǎn)品競爭之外。

這 14 個(gè)系列器件包括 16 引腳封裝中的 78K0/IY2 MCU、20 引腳封裝中的 78K0/IA2 MCU 以及 30 引腳封裝中的 78K0/IB2 MCU。

NEC 電器公司的 78K0/Ix2 MCU 準(zhǔn)確定位，通過在一個(gè)芯片上呈現(xiàn)多項(xiàng)卓越功能，來應(yīng)對(duì)熒光控制和基于 LED 的照明系統(tǒng)的挑戰(zhàn)。

收發(fā)信機(jī)測試之外，該平臺(tái)還支持TDD和FDD模式下的射頻性能測試用例，并且和國內(nèi)多家芯片廠商及終端廠商完成了測試用例驗(yàn)證，成為獨(dú)家支持Cat1/Cat1bis射頻性能測試的廠家。

這些用例能夠滿足CCSA標(biāo)準(zhǔn)測試規(guī)范對(duì)于Cat1單天線產(chǎn)品的最新要求，涉及的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范包括 LTE-FDD/TD-LTE 數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備技術(shù)要求、LTE FDD/TD-LTE 數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備測試方法。

通過驗(yàn)證這些射頻性能測試用例，可以進(jìn)一步提升Cat1/Cat1bis單天線產(chǎn)品的質(zhì)量，滿足不同客戶對(duì)這類產(chǎn)品的要求。

目前，為了應(yīng)對(duì)對(duì)于更高空間占位密度和5V單電壓電源母板的市場需求，瑞薩科技采用一個(gè)占位面積極為以往產(chǎn)品一半的6 mm x 6 mm的QFN封裝，并發(fā)布了可支持單5V輸入電壓的R2J20651NP小型Integrated Driver-MOSFET。

通過開發(fā)具有更低損耗和多種功能的產(chǎn)品，瑞薩科技大踏布前行，不斷擴(kuò)展其產(chǎn)品線以滿足市場需求。

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