CTLS5064-M532以及CTLS5064R-M532可控硅整流器，為T(mén)LM532表面貼裝，單個(gè)400-V 0.8-A器件，是專(zhuān)門(mén)為具有高度限制的產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的。TLM532 DFN封裝的尺寸為2.1 x 3.1 x 1.0 mm。

這些SCR的主要特點(diǎn)包括，0.8–V柵極閾值電壓，200A柵極閾值電流，通態(tài)開(kāi)關(guān)速度2.8s。這些器件適合用于快速開(kāi)關(guān)，高電壓體積小的產(chǎn)品，包括，數(shù)碼相機(jī)閃光燈，GFI保護(hù)，探測(cè)器和傳感器，燈驅(qū)動(dòng)器，以及小型電動(dòng)機(jī)控制。

新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL  (More Battery Life) SRAM 是市場(chǎng)上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延長(zhǎng)高端銷(xiāo)售點(diǎn)終端、游戲應(yīng)用、VoIP 電話、手持消費(fèi)和醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用的電池工作時(shí)間。

新推出的 3 兆比特和6兆比特快速異步 SRAM 與 24 位寬的處理器相連接，能充分滿足音頻處理、無(wú)線和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的需求。

高密度存儲(chǔ)器模塊，它是基于該公司的2Gb 50nm的DDR3. 三星公司此次推出18種基于DDR3的高密度高性能模塊,主要用于服務(wù)器.這些產(chǎn)品包括16GBRIMM模塊和一個(gè)8GB RDIMM模塊。去年九月，韓國(guó)三星公司還推出了用于PC的50納米級(jí) 2Gb DDR3。

16GB高密度模塊為1066 Mb/每秒(Mbps)，在雙插槽CPU服務(wù)器系統(tǒng)里，其全部存儲(chǔ)密度可達(dá)192GB。三星公司也是第一個(gè)推出可在1.35 V電壓下運(yùn)行的16GB RDIMM的公司，該器件比1.5V DDR3解決方案，可以節(jié)省20%的電耗。

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