模擬控制界面的低端HID燈具鎮(zhèn)流器和可調光熒光燈
發(fā)布時間:2022/1/23 18:14:19 訪問次數(shù):698
高數(shù)值孔徑 (high-NA) EUV光刻機是基于0.33數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統(tǒng)的迭代產(chǎn)品，其具有 0.55 數(shù)值孔徑的鏡頭，分辨率為8納米，而現(xiàn)有的0.33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統(tǒng)的分辨率為 13 納米，使得芯片制造商能夠生產(chǎn)3/2nm及以下更先進制程的芯片，并且圖形曝光的成本更低、生產(chǎn)效率更高。
0.55NA EUV光刻系統(tǒng)造價相比第一代的EUV光刻機也更高,一臺0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)的成本預計為3.186億美元，而目前正在出貨的EUV光刻系統(tǒng)則為1.534億美元。
ASML獲得的價值為70.50億歐元的新增訂單當中，0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)和0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)的訂單金額就達到了26億歐元。
這兩款產(chǎn)品都已得到歐洲和北美主要汽車制造商的認可，目前已經(jīng)量產(chǎn)，可提供樣品。
收發(fā)器專為高速CAN應用而設計，傳輸速度高達1MB/秒，并且開發(fā)過程中和汽車主要生產(chǎn)廠商通力合作，使新產(chǎn)品具有極低的電磁輻射（EME）特性，激振效應保護功能更強。即使對于ECU日益增多、總線拓撲結構持續(xù)復雜化的當前最先進的網(wǎng)絡，上述特點也能確保通信的可靠性。
改進后的ESD性能（IEC 61000-4-2標準規(guī)定的±8kV）使制造商在無需外部ESD保護的情況下即可建立電控單元，從而在顯著降低整體系統(tǒng)成本的同時，仍能持續(xù)滿足最新ESD需求。
這款驅動電路板的規(guī)格符合Nuventix公司SynJet MR16 及 PAR38 模塊的要求。
4KB的閃存AT90PWM1則為需要模擬控制界面的低端HID燈具鎮(zhèn)流器和可調光熒光燈帶來了具有成本效益的解決方案。
微控制器擁有專用的外圍器件來管理 PFC 的功能和控制燈具的功率，因而可以減少外部部件的數(shù)量。
(素材來源：轉載自網(wǎng)絡,如涉版權請聯(lián)系刪除,特別感謝）
高數(shù)值孔徑 (high-NA) EUV光刻機是基于0.33數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統(tǒng)的迭代產(chǎn)品，其具有 0.55 數(shù)值孔徑的鏡頭，分辨率為8納米，而現(xiàn)有的0.33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統(tǒng)的分辨率為 13 納米，使得芯片制造商能夠生產(chǎn)3/2nm及以下更先進制程的芯片，并且圖形曝光的成本更低、生產(chǎn)效率更高。
0.55NA EUV光刻系統(tǒng)造價相比第一代的EUV光刻機也更高,一臺0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)的成本預計為3.186億美元，而目前正在出貨的EUV光刻系統(tǒng)則為1.534億美元。
ASML獲得的價值為70.50億歐元的新增訂單當中，0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)和0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)的訂單金額就達到了26億歐元。
這兩款產(chǎn)品都已得到歐洲和北美主要汽車制造商的認可，目前已經(jīng)量產(chǎn)，可提供樣品。
收發(fā)器專為高速CAN應用而設計，傳輸速度高達1MB/秒，并且開發(fā)過程中和汽車主要生產(chǎn)廠商通力合作，使新產(chǎn)品具有極低的電磁輻射（EME）特性，激振效應保護功能更強。即使對于ECU日益增多、總線拓撲結構持續(xù)復雜化的當前最先進的網(wǎng)絡，上述特點也能確保通信的可靠性。
改進后的ESD性能（IEC 61000-4-2標準規(guī)定的±8kV）使制造商在無需外部ESD保護的情況下即可建立電控單元，從而在顯著降低整體系統(tǒng)成本的同時，仍能持續(xù)滿足最新ESD需求。
這款驅動電路板的規(guī)格符合Nuventix公司SynJet MR16 及 PAR38 模塊的要求。
4KB的閃存AT90PWM1則為需要模擬控制界面的低端HID燈具鎮(zhèn)流器和可調光熒光燈帶來了具有成本效益的解決方案。
微控制器擁有專用的外圍器件來管理 PFC 的功能和控制燈具的功率，因而可以減少外部部件的數(shù)量。
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