EUV光掩模坯在8GB RAM板上對其進行緩沖

發(fā)布時間:2022/2/8 22:37:15 訪問次數(shù):91

EUV光掩模坯是一種在低膨脹率玻璃基板的表面形成的多層薄膜。

EUV Photomask（光掩模）是在EUV光掩模坯的表面形成的半導(dǎo)體芯片的原版線路，然后再將線路轉(zhuǎn)移到硅晶圓上，形成半導(dǎo)體芯片。

隨著半導(dǎo)體線路的微縮化發(fā)展，針對EUV光掩模坯的以下要求水準愈來愈高。

將極小尺寸的缺陷降低至近乎為零。

極其高的平整度。

額定輸出容量值高的逆變器可帶更多的用電負載，但當逆變器的負載不是純阻性時，也就是輸出功率小于1時，逆變器的負載能力將小于所給出的額定輸出容量值。

通常情況下,KW級以下逆變器的效率為80%-85%,10KW級逆變器的效率應(yīng)為85%-90%,逆變器效率高低對光伏發(fā)電系統(tǒng)提高有效發(fā)電量和降低發(fā)電成本有重要影響。

過電壓、過電流及短路保護是保證逆變器安全運行的最基本措施，功能完美的正弦波逆變器還具有欠電壓保護、缺相保護及過溫報警等功能。

PCI-Express數(shù)據(jù)采集板系列在400MSPS速度內(nèi)具有14位分辨率，在500MSPS速度時具有12位分辨率，允許連續(xù)全速采集到主機存儲器或板上8GB RAM。

這些ADC電路板安裝在任何PCI-Express x16或x8插槽時，可以連續(xù)采集寬帶數(shù)據(jù)，并用板上的Virtex-5 FPGA對其進行處理，在8GB RAM板上對其進行緩沖，并且不斷傳輸數(shù)據(jù)到主機系統(tǒng)RAM,以便即時使用、圖形顯示或存儲。

TTL選擇性的錄音輸入允許采集能動態(tài)停止和啟動，通過存儲所需數(shù)據(jù),從而有效地增加存儲器深度，以便應(yīng)用在雷達、突發(fā)通信和脈沖光譜中。

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