照明配電箱的安裝方式有墻上明裝和嵌人墻內(nèi)暗裝兩種方式,室內(nèi)照明配電箱安裝一般是嵌入墻內(nèi)暗裝的方式,照明配電箱嵌人墻內(nèi)暗裝方式控制面板.

照明配電箱一般裝在電源進(jìn)口處,并盡量靠近負(fù)荷中心,它的安裝方法是先把支架埋在墻上或用脹管固定在墻上,然后將配電箱同定在支架上,再進(jìn)行穿線和接線。

嵌入墻內(nèi)暗裝式通常是按設(shè)計(jì)指定的位置,在土建砌磚時(shí)先把嵌架埋在墻內(nèi),使箱面稍稍凸出墻面,然后進(jìn)行正面結(jié)構(gòu)安裝和穿線,最后接線、編號標(biāo)注控制區(qū)域和安裝面板等。

MTP存儲器本質(zhì)上和eFlash相似，都是基于浮柵來存儲電荷。但不同于eFlash單獨(dú)開發(fā)工藝平臺，MTP存儲器屬于寄生器件，其一般不能改變既定的平臺工藝步驟。而不同工藝平臺制備的MTP存儲器的浮柵周圍環(huán)境相差很大.

比如隧穿氧化層(通常是3.3V器件或5V器件的柵氧層),側(cè)墻氧化層/氮化物層、刻蝕阻止層等結(jié)構(gòu)都存在差異,進(jìn)而對MTP存儲器數(shù)據(jù)保持能力,即非易失性，產(chǎn)生很大的影響。

MTP存儲器在不同工藝平臺上數(shù)據(jù)保持能力的差異為產(chǎn)品壽命和可靠性的計(jì)算帶來了困擾。因此，需要一種有理論支持并通用可行的測試方法來快速標(biāo)定MTP存儲器在不同工藝平臺上的數(shù)據(jù)保持能力。

靜態(tài)設(shè)計(jì)時(shí),先要分析偏差的組成和大小,即分析造成偏差的原因,以合理確定系統(tǒng)各環(huán)節(jié)的參數(shù)。

偏差分析調(diào)壓系統(tǒng)的總偏差△U一般由三部分組成,即靜態(tài)偏差△uσ、溫度偏差△LIT和使用偏差△Uc,可表示為:△U=△T+△UT+△Ulc      

復(fù)位相應(yīng)的Option Bytes來實(shí)現(xiàn)，掉電也不會消失，但是不同的是，設(shè)置完之后，芯片自動(dòng)會擦除整顆芯片，這樣你也就不能通過解除讀保護(hù)進(jìn)而讀取整顆芯片代碼了。

代碼運(yùn)行在RAM中，既然讀保護(hù)保護(hù)的是FLASH區(qū)，RAM并不受影響，那么我們就可以將我們解除的代碼加載到RAM中運(yùn)行，如此就可以通過MDK解除芯片的讀保護(hù)了。