超級硅MOSFET,東微半導(dǎo)體宣稱因其獨(dú)創(chuàng)的器件結(jié)構(gòu)與優(yōu)化的制造工藝，使得產(chǎn)品擁有高速開關(guān)及低動態(tài)損耗的特性,在硅基制造工藝上進(jìn)一步提升了器件的開關(guān)速度，使得在主流快速充電器應(yīng)用中能獲得接近氮化鎵功率模塊的效率和功率密度,但生產(chǎn)成本更低,僅為同效率氮化鎵器件的20%，堪稱一絕。

預(yù)計后續(xù)產(chǎn)品經(jīng)過市場驗(yàn)證后會逐漸放量成為消費(fèi)領(lǐng)域的第二增長曲線。

基于這些核心技術(shù)，使得東微半導(dǎo)體IGBT產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)上與一些國際大廠相接近甚至略有優(yōu)勢。因此，東微的Tri-gate結(jié)構(gòu)IGBT器件在設(shè)計及工藝技術(shù)水平上處于國際先進(jìn)水平。

T-301型鉗形電流表外形,結(jié)構(gòu)和使用方法外形,使用方法,內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意.鉗形電流表使用注意事項(xiàng),被測線路電壓不得超過鉗形電流表所規(guī)定的使用電壓,以防止絕緣擊穿,導(dǎo)致觸電事故的發(fā)生。

若不清楚被測電流大小,應(yīng)由大到小逐級選擇合適擋位進(jìn)行測量,不能用小量程擋測量大電流。

實(shí)現(xiàn)載流子濃度的大幅增強(qiáng)以及電場調(diào)制耐壓的提高，形成高功率密度、低開關(guān)損耗、高可靠性及自保護(hù)等特點(diǎn)，自主研發(fā)的SFGMOS產(chǎn)品也持續(xù)進(jìn)行研發(fā)和技術(shù)升級，對應(yīng)的器件性能逐漸提升到了國內(nèi)領(lǐng)先水平。

指針軸固定點(diǎn)流體進(jìn)口彈簧管(波登管)壓力表,壓力電測方法使用晶體振蕩器,它應(yīng)用某些晶體(石英晶體、壓電陶瓷),受力后表面產(chǎn)生電荷的壓電效應(yīng),測量頻率反映壓力高低。

測量線速度時,應(yīng)使用轉(zhuǎn)輪測試頭。測量的數(shù)值按以下公式計算:

ω=Cu(m/min)

式中 ω―線速度;

C一滾輪的周長;

u―每分鐘轉(zhuǎn)速。