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反饋電容CI高增益運(yùn)算放大器電路3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期

發(fā)布時(shí)間:2022/4/19 13:13:34 訪問(wèn)次數(shù):641


當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí),如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V),這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。

OC門電路必須加上拉電阻,才能使用。

為加大輸出引腳的驅(qū)動(dòng)能力,有的單片機(jī)管腳上也常使用上拉電阻。

在COMS芯片上,為了防止靜電造成損壞,不用的管腳不能懸空,一般接上拉電阻產(chǎn)生降低輸入阻抗,提供泄荷通路。

檢測(cè)出來(lái)但因傳感器的內(nèi)阻抗極高,囚此需要與高輸入阻抗的前置放大器配合,然后采用一般的放大、檢波、顯示、記錄電路。


根據(jù)壓電式傳感器的工作原理及等效電路,它的輸出可以是電荷信號(hào)也可以是電壓信號(hào),因此與之相配的前置放大器也有電荷前置放大器和電壓前置放大器兩種形式。由于電壓前置放大器的輸出電壓與電纜電容有關(guān),故目前多采用電荷放大器。

電荷放大器實(shí)際上是一個(gè)具有反饋電容CI的高增益運(yùn)算放大器電路。

GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期,這或許意味著公司需要更多的時(shí)間才能投入量產(chǎn)。

所謂GAA晶體管即環(huán)繞柵極晶體管,它取代的是FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管),前者可以實(shí)現(xiàn)四邊充當(dāng)電流通道,二者則只有三邊。

通過(guò)搶占技術(shù)制高點(diǎn)“降維”打擊臺(tái)積電,沒(méi)想到后者堅(jiān)持在3nm使用FinFET后,結(jié)果更務(wù)實(shí)。

半導(dǎo)體設(shè)備巨頭Lam Research(泛林)向三星提供了用于3nm GAA芯片蝕刻相關(guān)的機(jī)器,希望在上半年完成全套工藝的質(zhì)量驗(yàn)證。




當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí),如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V),這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。

OC門電路必須加上拉電阻,才能使用。

為加大輸出引腳的驅(qū)動(dòng)能力,有的單片機(jī)管腳上也常使用上拉電阻。

在COMS芯片上,為了防止靜電造成損壞,不用的管腳不能懸空,一般接上拉電阻產(chǎn)生降低輸入阻抗,提供泄荷通路。

檢測(cè)出來(lái)但因傳感器的內(nèi)阻抗極高,囚此需要與高輸入阻抗的前置放大器配合,然后采用一般的放大、檢波、顯示、記錄電路。


根據(jù)壓電式傳感器的工作原理及等效電路,它的輸出可以是電荷信號(hào)也可以是電壓信號(hào),因此與之相配的前置放大器也有電荷前置放大器和電壓前置放大器兩種形式。由于電壓前置放大器的輸出電壓與電纜電容有關(guān),故目前多采用電荷放大器。

電荷放大器實(shí)際上是一個(gè)具有反饋電容CI的高增益運(yùn)算放大器電路。

GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期,這或許意味著公司需要更多的時(shí)間才能投入量產(chǎn)。

所謂GAA晶體管即環(huán)繞柵極晶體管,它取代的是FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管),前者可以實(shí)現(xiàn)四邊充當(dāng)電流通道,二者則只有三邊。

通過(guò)搶占技術(shù)制高點(diǎn)“降維”打擊臺(tái)積電,沒(méi)想到后者堅(jiān)持在3nm使用FinFET后,結(jié)果更務(wù)實(shí)。

半導(dǎo)體設(shè)備巨頭Lam Research(泛林)向三星提供了用于3nm GAA芯片蝕刻相關(guān)的機(jī)器,希望在上半年完成全套工藝的質(zhì)量驗(yàn)證。



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