一種SiC溝槽技術(shù)，此技術(shù)比IGBT具有更高的效能，且相當(dāng)耐用，例如短路時間僅有2μs或甚至3μs。CoolSiC MOSFET同時也解決了SiC裝置固有的一些潛在問題，例如非預(yù)期的電容導(dǎo)通。此外，SiC MOSFET采用符合產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO247-3封裝，現(xiàn)在采用的TO247-4封裝甚至具有更優(yōu)異的開關(guān)效能。除了這些TO封裝，SiC MOSFET也提供Easy 1B和Easy 2B封裝。

WE-CMBNC是經(jīng)VDE認(rèn)證的共模扼流圈系列，采用高磁導(dǎo)率納米晶體磁芯材料。尺寸較小，但提供出色的寬帶衰減性能，較高的額定電流和較低的直流電阻值。此外，WE-CMB系列的共模扼流圈具有扁平外型和高額定電壓。

WE-CMBNC優(yōu)勢

高磁導(dǎo)率納米晶體磁芯材料

高IR和低RDC,小尺寸

寬頻帶抑制

在高溫條件下，具有穩(wěn)定的電感值

通過塑料外殼和專利繞組墊片改進(jìn)絕緣性能.

正確使用儀器儀表,注意安全操作。尤其是在使用示波器時應(yīng)特別注意:在觀測主電路波形時,示波器外殼可能帶電,應(yīng)注意不要觸及金屬外殼,以防觸電。

示波器外殼不要接地,以防觀測波形時發(fā)生短路。雙路示波器Y1、Y2兩個探頭的接地端都與外殼相連,同時使用兩個探頭時應(yīng)注意兩個探頭的接地線應(yīng)在同一電位上,以防發(fā)生短路。被測電壓幅值不能超過示波器允許范圍,以防損壞示波器。