SiC的一個關(guān)鍵區(qū)別在于其更高的系統(tǒng)級效率，這是因為SiC具有更大的功率密度、更低的功率損耗、更高的工作頻率和更高的工作溫度。

這意味著單次充電續(xù)航里程更高，電池尺寸可以更小，車載充電器的充電時間更快。

用先進的SiC芯片取代現(xiàn)有的Si開關(guān)技術(shù)，減少了逆變器中的能量損失，使車輛能夠提供額外的續(xù)航能力。例如，經(jīng)過實車驗證，Onsemi的VE-Trac Direct SiC功率模塊，可以將逆變器系統(tǒng)的效率提高40%，從而使凈駕駛里程增加了4%-8%。

6位數(shù)字編號中前兩位表示章,第三位表示子(分)系統(tǒng),第四位表示次級子(分)系統(tǒng),后兩位表示主題。

參照A320的AMM液壓系統(tǒng),子系統(tǒng)10為主液壓源,11為綠色主液壓源,12為藍色主液壓源,13為黃色主飛機:系統(tǒng)(sys)一子系統(tǒng)(sys-sub)一部件(Unk)出版物;章(ChaptCr)―節(jié)(section)―主題(SubjCct)

由于材料性能不盡相同，碳化硅與氮化鎵在應(yīng)用場景上也略有差異。碳化硅具備更高的熱導(dǎo)率，主要面向新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等高壓、高功率應(yīng)用；而氮化鎵則以其更高的電子遷移率，高頻特性較好，廣泛應(yīng)用于PD快充、新能源充電樁、5G通信等領(lǐng)域。

單芯片、多頻帶射頻收發(fā)器以及DBB03數(shù)字基帶專用集成電路。所有數(shù)據(jù)管理與跳頻均在DBB03上的固件中實現(xiàn)，物理、MAC及數(shù)據(jù)鏈路層。

一個簡單的外部主機微控制器即可執(zhí)行與終端應(yīng)用相關(guān)的所有系統(tǒng)功能。這使設(shè)計人員能夠靈活地從各種類型的MCU如超低功耗產(chǎn)品系列中選擇外部主機。

與主機MCU之間的接口是一個簡單的UART，因此終端應(yīng)用可將射頻鏈路視為外設(shè)，從而使其具有更高的靈活性、可擴展性和易于實施性。