產(chǎn)品應(yīng)用作為IGBT/SiC MOSFET專用驅(qū)動(dòng)電源，在產(chǎn)品應(yīng)用上與IGBT/SiC MOSFET應(yīng)用重合，可用于光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等多種場合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅(qū)動(dòng)；已光伏SVG系統(tǒng)為例，可配合驅(qū)動(dòng)芯片來共同驅(qū)動(dòng)后端的IGBT期間，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的有效運(yùn)行。

Solidigm的高性能D7系列固態(tài)盤（SSDs）再添兩款新銳產(chǎn)品：D7-P5520 和 D7-P5620。兩款產(chǎn)品均針對現(xiàn)實(shí)環(huán)境下云計(jì)算及企業(yè)工作負(fù)載進(jìn)行了深度優(yōu)化。

面向數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級應(yīng)用的全新固態(tài)盤產(chǎn)品D7-P5520和D7-P5620，以進(jìn)一步擴(kuò)展其性能優(yōu)化的D7產(chǎn)品系列。

任務(wù)標(biāo)題包含功能識別號FIN(如適用)

警告/警戒(如適用)

執(zhí)行本工作的原囚

給出本工作的原因

或參見MMEL任務(wù)

或參見CDL任務(wù)

或參見MPD任務(wù)

工作準(zhǔn)各信息部分可提供;

工具信息一專用Jli具

通用工具

消耗材料

lPC/PIPC中消耗零件的章節(jié)號

參考其他AMM任務(wù)、CMM・TSM等.

47nF的TMR電容,允許TMR在60V啟動(dòng)期間達(dá)到1.15V,這非常接近1.215V柵極關(guān)斷閾值。

選擇0.7V峰值TMR目標(biāo)電壓，以從1.215V柵極關(guān)斷閾值提供足夠余量，同時(shí)采用以下這些公差：TMR上拉電流±50%(LTC4381數(shù)據(jù)手冊中的ITMR(UP)規(guī)格），TMR電容±10%，1.215V TMR柵極關(guān)斷閾值±3%（VTMR(F)規(guī)格）。

LTC4381電流限值與輸出電壓,最大負(fù)載電容使用的TMR電容，以在60 V啟動(dòng)期間將TMR電壓升高限制在0.7V左右。