D1保護(hù)LTC4381 VCC引腳的80V絕對(duì)最大額定值，而D2保護(hù)內(nèi)部100V MOSFET不受雪崩影響。D1也將輸出鉗位電壓設(shè)置到66.5V(56V+10.5V)，以防不使用D2。R1和C1過(guò)濾VIN升高和下降。

如果有電容接近LTC4381限制電壓尖峰，低于80V，則VCC引腳可以直接連接至VIN。在這種情況下，可以取消使用D1、D2、R1和C1。

10A流過(guò)內(nèi)部MOSFET時(shí),LTC4381的初始?jí)航禐?0mV,功耗為900mW.在室溫環(huán)境下.這種功耗會(huì)使DC2713A-D評(píng)估板上LTC4381封裝溫度升高到約100°C,達(dá)到RDS(ON)的兩倍.且使壓降升高到180mV。

產(chǎn)品特點(diǎn)

隔離電壓5000VAC（滿足加強(qiáng)絕緣）

長(zhǎng)期絕緣：1700VDC

效率高達(dá)87%

超小型SIP封裝

最大容性負(fù)載2200uF

超小隔離電容3.5pF(typ.)

工作溫度范圍：-40℃ to +105℃

PCIe 4.0 固態(tài)盤系列產(chǎn)品，提供不同的容量選擇、多元的外形尺寸和優(yōu)化的性能。D7-P5520和 D7-P5620針對(duì)真實(shí)工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，體現(xiàn)了Solidigm長(zhǎng)期以來(lái)與領(lǐng)先云計(jì)算廠商、OEM廠商以及存儲(chǔ)領(lǐng)域創(chuàng)新者等開(kāi)展深入技術(shù)交流所獲得的行業(yè)洞察。

D7-P5520和D7-P5620正是這些深刻洞察以及數(shù)代3D NAND 和PCIe 4.0產(chǎn)品迭代優(yōu)化的結(jié)晶，讓我們能夠向客戶提供一流的產(chǎn)品，并創(chuàng)建固態(tài)存儲(chǔ)的全新范式。

輸入旁路電容可以幫助防止對(duì)48V電源產(chǎn)生任何干擾，特別是與其他電路板共享該電源時(shí)，例如背板。在后一種情況下，相鄰電路板的負(fù)載電容也起到與輸入旁路電容相同的作用。