開關(guān)動態(tài)占空比依賴性和特殊狀態(tài)下缺乏負(fù)柵極驅(qū)動影響
發(fā)布時(shí)間:2022/5/11 13:26:54 訪問次數(shù):157
硬件中進(jìn)行數(shù)據(jù)流加密/解密和DMA的協(xié)助,SAM7X可提供80Mbps的高級加密標(biāo)準(zhǔn)(AES)的加密速度,比軟件加密要快20倍。
由于全速USB2.0的數(shù)據(jù)傳輸速率為12Mbps;CAN速率為1Mbps,以太網(wǎng)速率為100Mbps;而SAM7串行外圍接口和通用同步異步收發(fā)器(USART)外圍設(shè)備的速率可達(dá)到25Mbps,因此必須采用DMA和硬件加密以實(shí)現(xiàn)安全的高速數(shù)據(jù)傳輸。
SAM7X處理器設(shè)有嵌入式AES和三重DES加密引擎,配合外圍DMA控制器便可以針對AES以80Mbps的速率對數(shù)據(jù)進(jìn)行加密/解密;或者可針對DES和三重DES分別以32.8Mbps和20Mbps的速率實(shí)現(xiàn)加密/解密。
RC耦合柵極驅(qū)動器完全滿足這些要求,但是,它受到開關(guān)動態(tài)的占空比依賴性和特殊狀態(tài)下缺乏負(fù)的柵極驅(qū)動的影響. GaN EiceDRIVER™很容易就解決了這些問題.
無芯變壓器(CT)技術(shù)的輸入到輸出的隔離.器件的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)>200V/ns.三種封裝版本: 1EDF5673K為13引腳LGA封裝,絕緣功能1.5kV;
電子元件會受到各種粒子的轟擊,這些粒子會產(chǎn)生電荷,從而對硬件造成嚴(yán)重破壞。長期的大劑量輻射(稱為總電離劑量 (TID))可能會永久損壞硬件并損害設(shè)備在其使用壽命期間的性能。輻射造成的損壞可能導(dǎo)致器件發(fā)生bug甚至災(zāi)難性故障。
太陽耀斑和其他不可預(yù)測的事件也可以將粒子直接傳遞至芯片中,從而改變存儲在內(nèi)存中的數(shù)據(jù)丟失或?qū)е峦蝗欢搪罚ā伴V鎖”),從而可能導(dǎo)致器件損壞。
在這些情況下,現(xiàn)貨商用組件受不了長時(shí)間輻射。

硬件中進(jìn)行數(shù)據(jù)流加密/解密和DMA的協(xié)助,SAM7X可提供80Mbps的高級加密標(biāo)準(zhǔn)(AES)的加密速度,比軟件加密要快20倍。
由于全速USB2.0的數(shù)據(jù)傳輸速率為12Mbps;CAN速率為1Mbps,以太網(wǎng)速率為100Mbps;而SAM7串行外圍接口和通用同步異步收發(fā)器(USART)外圍設(shè)備的速率可達(dá)到25Mbps,因此必須采用DMA和硬件加密以實(shí)現(xiàn)安全的高速數(shù)據(jù)傳輸。
SAM7X處理器設(shè)有嵌入式AES和三重DES加密引擎,配合外圍DMA控制器便可以針對AES以80Mbps的速率對數(shù)據(jù)進(jìn)行加密/解密;或者可針對DES和三重DES分別以32.8Mbps和20Mbps的速率實(shí)現(xiàn)加密/解密。
RC耦合柵極驅(qū)動器完全滿足這些要求,但是,它受到開關(guān)動態(tài)的占空比依賴性和特殊狀態(tài)下缺乏負(fù)的柵極驅(qū)動的影響. GaN EiceDRIVER™很容易就解決了這些問題.
無芯變壓器(CT)技術(shù)的輸入到輸出的隔離.器件的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)>200V/ns.三種封裝版本: 1EDF5673K為13引腳LGA封裝,絕緣功能1.5kV;
電子元件會受到各種粒子的轟擊,這些粒子會產(chǎn)生電荷,從而對硬件造成嚴(yán)重破壞。長期的大劑量輻射(稱為總電離劑量 (TID))可能會永久損壞硬件并損害設(shè)備在其使用壽命期間的性能。輻射造成的損壞可能導(dǎo)致器件發(fā)生bug甚至災(zāi)難性故障。
太陽耀斑和其他不可預(yù)測的事件也可以將粒子直接傳遞至芯片中,從而改變存儲在內(nèi)存中的數(shù)據(jù)丟失或?qū)е峦蝗欢搪罚ā伴V鎖”),從而可能導(dǎo)致器件損壞。
在這些情況下,現(xiàn)貨商用組件受不了長時(shí)間輻射。

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