SiC MOSFET相較于Si MOS和IGBT能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時(shí)還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來(lái)越多的功率變換器采用基于SiC MOSFET的方案。

SiC MOSFET開關(guān)速度快，開關(guān)過(guò)程中柵極電壓更容易發(fā)生震蕩，如果震蕩超過(guò)其柵極耐壓能力，則有可能導(dǎo)致器件柵極可靠性退化或直接損壞。

很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久，往往會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)量上遇到問(wèn)題，即測(cè)得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰，導(dǎo)致搞不清楚是器件的問(wèn)題還是電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，進(jìn)而耽誤開發(fā)進(jìn)度。

高壓差分探頭的為差分輸入且輸入阻抗高，在電源開發(fā)過(guò)程中一般都會(huì)選擇它來(lái)測(cè)量驅(qū)動(dòng)波形。

有時(shí)在使用高壓差分探頭時(shí)獲得的驅(qū)動(dòng)波形顯得非常粗，這往往是由于高壓差分探頭的衰減倍數(shù)過(guò)大導(dǎo)致的。衰減倍數(shù)大，高壓差分探頭的量程就大，使得分辨率大幅下降，同時(shí)示波器在還原信號(hào)時(shí)還會(huì)將噪聲放大。此時(shí)就需要選擇衰減倍數(shù)較小的高壓差分探頭或選擇高壓差分探頭衰減比較小的檔位。

高壓差分探頭測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓，衰減倍數(shù)分別選擇50倍和500倍，可以明顯到500倍衰減倍數(shù)下驅(qū)動(dòng)波形非常粗。

傳統(tǒng)的電源技術(shù)已經(jīng)很難滿足應(yīng)用需求，采用LLC諧振變換技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高電源開關(guān)效率的方式被廣泛應(yīng)用，250W LLC諧振直流變換器開發(fā)板方案。該方案具有高集成度，有助于客戶提高功率密度與能效。

射頻電源傳輸解決方案，該方案結(jié)合了先進(jìn)的數(shù)字控制電源和精確的數(shù)字阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。針對(duì)薄膜工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的ALTA™平臺(tái)具有超強(qiáng)適應(yīng)能力及控制精確性和重復(fù)性,增強(qiáng)了工藝穩(wěn)定性并提供最佳產(chǎn)能。

新穎獨(dú)特的蝶形設(shè)計(jì)可改善操控性。這確保了對(duì)Arduino連接器的訪問(wèn)是用戶友好的，并減少了來(lái)自電磁影響的潛在干擾，尤其是使用RF IoT Arduino屏蔽。