固態(tài)開關(guān)使用半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行操作，例如硅或PIN二極管、場效應(yīng)晶體管(FETs)和混合技術(shù)(即PIN二極管和場效應(yīng)晶體管的結(jié)合），并使用硅基基板構(gòu)建。RF MEMS開關(guān)與基于射頻-SOI(絕緣襯底上的硅)的開關(guān)處于競爭關(guān)系，后者一直都在不斷改進(jìn)，是當(dāng)前市場上的主要解決方案。

RF MEMS開關(guān)種類繁多，它們可以用不同的機(jī)制來驅(qū)動。由于功耗低、尺寸小的特性，靜電驅(qū)動常用于射頻微機(jī)電系統(tǒng)開關(guān)設(shè)計。

MEMS開關(guān)也可使用慣性力、電磁力、電熱力或壓電力來控制打開或關(guān)閉。

典型的“懸臂梁”RF MEMS開關(guān)。在這種配置中，固定梁懸掛在基板上，當(dāng)梁被壓下時，梁上的電極接觸基板上的電極，將開關(guān)置于“開啟”狀態(tài)并接通了電路。

AMD的RDNA2顯卡主要采用三星GDDR6顯存，然而最高也不過RX 6900 XT水冷版的18.5Gbps，位寬仍是256bit。由于NVIDIA和美光的GDDR6X“廝混”，最高摸到19.5Gbps/384bit，導(dǎo)致兩者帶寬差距明顯。

三星的產(chǎn)品更新顯然讓AMD RDNA3很有底氣,大顯存RTX 30系產(chǎn)品,GDDR6X(據(jù)說最高21Gbps、單片2GB)產(chǎn)能跟不上或者價格不給力。

高速串行信號通常是由多個0和1以一定的序列組成的碼型，如常用的PRBS7，PRBS9，PRBS11等碼型，不同的碼型序列所包含的0和1數(shù)量也不同，如PRBS7包含(2+E7)– 1個0和1的數(shù)量。

個別的0和1位的信號質(zhì)量往往代表不了整個碼型的信號質(zhì)量，所以將碼型中的所有位疊加到一起進(jìn)行評估能夠更好的反應(yīng)高速串行信號的質(zhì)量。