Luc van den Hove提到了幾代器件架構(gòu)，從FinFET器件到插板和原子通道器件，以及新材料和ASML的High-NA曝光機(jī)的導(dǎo)入，這都需要很多年的時(shí)間。而ASML目前正在安裝的High-NA曝光機(jī)的原型設(shè)備。

Luc van den Hove強(qiáng)調(diào)，為了邁向更先進(jìn)制程，需要開(kāi)發(fā)新的器件架構(gòu)，以及推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)單元的微縮。在FinFET已經(jīng)成為從10納米到3納米的主流技術(shù)的基礎(chǔ)上，從2納米開(kāi)始，由納米片堆疊而成的GAA架構(gòu)將是最有可能的概念。

系統(tǒng)芯片設(shè)備將使用TSV和微凸點(diǎn)技術(shù)進(jìn)行芯片的3D堆疊，并使用不同制程芯片來(lái)完成不同的任務(wù)，使得多個(gè)3D芯片需要連接在一個(gè)硅中介層上。

DS28E30 1-Wire ECDSA安全認(rèn)證器，這是一款高性價(jià)比解決方案，用于檢測(cè)和保護(hù)產(chǎn)品，防止產(chǎn)品被偽造或?yàn)E用。

通過(guò)基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)FIPS 186橢圓曲線數(shù)字簽名算法(ECDSA)的固定功能密碼工具箱、密鑰和應(yīng)用數(shù)據(jù)安全存儲(chǔ)，以及單觸點(diǎn)1-Wire接口，可以盡可能簡(jiǎn)單、輕松地集成到現(xiàn)有設(shè)計(jì)或新設(shè)計(jì)中。

DS28E30提供多種安全功能，可以實(shí)現(xiàn)有限壽命的工具、傳感器和其他外設(shè)的使用管理。 其中包括單調(diào)、不可復(fù)位的遞減計(jì)數(shù)器；以及可選的、受ECDSA保護(hù)的1Kb通用EEPROM，用于存儲(chǔ)包括終端產(chǎn)品生命周期信息在內(nèi)的應(yīng)用數(shù)據(jù)。

此外，物聯(lián)網(wǎng)的主要環(huán)境效益來(lái)自于企業(yè)解決方案。物聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)設(shè)備旨在為消費(fèi)者提供更好的價(jià)值主張，而企業(yè)的解決方案則通常是為了某種程度的效率提高。這些效率提升，一般體現(xiàn)在減少電力消耗或減少燃料或水源消耗上。

InnoSwitchTM3-TN系列極大地增加了電器,消費(fèi)類產(chǎn)品和工業(yè)應(yīng)用的輔助電源的效率.

小型MinSOP封裝和低數(shù)量外接元件使得InnoSwitch3-TN系列產(chǎn)品非常適合緊湊的設(shè)計(jì).產(chǎn)品滿足EcoSmart™能量效率,在230VAC時(shí)無(wú)負(fù)載的功耗小于5mW.主要用在電器和工業(yè)系統(tǒng)的輔助電源.