MariSilicon X芯片，是一顆影像專用NPU，而非ISP。當(dāng)前擁有兩顆芯片的影像旗艦手機(jī)并不少見，但像OPPO的MariSilicon X加持的這種方式，帶來了影像處理管道的革新。從芯片在影像處理管道的工作流程中的位置也可以得到其絕非普通ISP的印證。

MariSilicon X在設(shè)計(jì)之初就在追求實(shí)時(shí)RAW域處理的無損畫質(zhì)。所以它更像一個(gè)有強(qiáng)大計(jì)算能力和數(shù)據(jù)吞吐能力的管道。它與其他ISP芯片的最大區(qū)別，是它工作在手機(jī)鏡頭與SoC之間，所以MariSilicon X每秒鐘都要承受超大規(guī)模的畫面信息的洪流。

在同類PMIC中，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超小尺寸。與以往產(chǎn)品相比，可減少3個(gè)元器件，安裝面積可縮減25%，有助于車載攝像頭的小型化。

此外，還可以進(jìn)行更寬范圍的輸出電壓設(shè)置和時(shí)序控制設(shè)置，可滿足各制造商不同CMOS圖像傳感器的不同要求，有助于減少開發(fā)工時(shí)。

兩顆芯片之間的數(shù)據(jù)聯(lián)通能力提出了更高的要求。也讓MariSilicon X有能力為用戶帶來持續(xù)進(jìn)行的影像能力,以及損耗更低的畫質(zhì)；這顆自研芯片可以稱之為是影像能力的核心。

當(dāng)ton改變電流Ic，在Vce維度看看ton引起的特性變化。

在相同Vce=800V、1000V條件下，不同電流Ic時(shí)電壓尖峰Vce_peak。從各自測試結(jié)果看，ton在小電流時(shí)，對電壓尖峰Vce_peak的影響比較��；當(dāng)關(guān)斷電流增加話，窄脈沖關(guān)斷時(shí)容易出現(xiàn)電流突變，隨之引起高電壓尖峰。

ton在當(dāng)Vce和電流Ic越高時(shí)對關(guān)斷過程影響越大，更容易出現(xiàn)電流突變現(xiàn)象。從測試看這個(gè)例子FF1000R17IE4，最小脈沖ton最為合理時(shí)間不要小于3us。