可編角頻率的DC阻隔高通濾波器高頻率鐵氧體磁珠
發(fā)布時間:2022/5/27 17:55:11 訪問次數(shù):188
0.18微米的CMOS射頻工藝設計套件(process-design kit)。Cadence 和中芯國際將共同合作推出射頻電路的培訓課程，并向射頻設計者們提供射頻工藝設計套件 (process-design kit) 的適用性咨詢。
與Cadence在射頻設計上的合作將幫助我們的國內客戶設計與推出高質量的射頻器件，全定制的Cadence射頻電路設計技術與射頻設計方案與CMOS射頻制程工藝設計套件將是高質量和高生產(chǎn)力的組合，并幫助我們客戶的設計得以成功。
0.13微米和90納米CMOS射頻制程的射頻電路的解決方案。
一個新的低EMI異步升壓和SEPIC轉換器系列。單芯片IC和控制器IC結構簡單、成本低，采用多種拓撲，具有大功率功能和低輻射，因此非常實用。當超低輻射成為首要的要求時，也可以使用高電流Silent Switcher升壓轉換器。
零數(shù)字輸入的自動降功耗特性,短路保護和雜音抑制器,用戶可選擇的超低EMI發(fā)送模式,加電復位(POR), 1.8V PVDD電源,1.2V到1.8V IOVDD電源,采用11凸0.984mm×1.444mm, 0.35mm間距WLCSP封裝.
主要用在無線耳機,有源噪音抑制耳機,智能手機耳機揚聲器,助聽器和手持電子設備.
0.18微米的CMOS射頻工藝設計套件(process-design kit)。Cadence 和中芯國際將共同合作推出射頻電路的培訓課程，并向射頻設計者們提供射頻工藝設計套件 (process-design kit) 的適用性咨詢。
與Cadence在射頻設計上的合作將幫助我們的國內客戶設計與推出高質量的射頻器件，全定制的Cadence射頻電路設計技術與射頻設計方案與CMOS射頻制程工藝設計套件將是高質量和高生產(chǎn)力的組合，并幫助我們客戶的設計得以成功。
0.13微米和90納米CMOS射頻制程的射頻電路的解決方案。
一個新的低EMI異步升壓和SEPIC轉換器系列。單芯片IC和控制器IC結構簡單、成本低，采用多種拓撲，具有大功率功能和低輻射，因此非常實用。當超低輻射成為首要的要求時，也可以使用高電流Silent Switcher升壓轉換器。
零數(shù)字輸入的自動降功耗特性,短路保護和雜音抑制器,用戶可選擇的超低EMI發(fā)送模式,加電復位(POR), 1.8V PVDD電源,1.2V到1.8V IOVDD電源,采用11凸0.984mm×1.444mm, 0.35mm間距WLCSP封裝.
主要用在無線耳機,有源噪音抑制耳機,智能手機耳機揚聲器,助聽器和手持電子設備.
相關技術資料- 7-5CV/CC InnoSwitch3-AQ 開關電源 IC
- 7-5URF1DxxM-60WR3系列應用前景分析
- 7-51-6W URA24xxN-xxWR3G系列優(yōu)勢特征
- 7-5閉環(huán)磁通門信號調節(jié)芯片NSDRV401
- 7-5SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應用探究
- 7-5RISC技術8位微控制器參數(shù)設計
- 7-4超低功耗角度位置傳感器參數(shù)技術封裝
- 7-4四路輸出 DC/DC 降壓電源模塊產(chǎn)品系列
- 7-4降壓變換器和升降壓變換器優(yōu)特點及區(qū)別
- 7-4業(yè)界首創(chuàng)可在線編程電源模塊 mEZ系列
- 7-4可編程門陣列 (FPGA)智能 電源解決方案
- 7-4高效先進封裝工藝MPS 電源模塊優(yōu)勢設計
公網(wǎng)安備44030402000607
