在單芯片轉(zhuǎn)換器中集成一個(gè)而不是兩個(gè)電源開關(guān)，可以使芯片尺寸減小30%到40%。

芯片尺寸減小可以直接節(jié)省硅芯片成本，當(dāng)硅芯片能夠集成到更小封裝中時(shí)，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)二次成本降低。

在高開關(guān)頻率及最小和最大占空比限值下，死區(qū)時(shí)間控制會(huì)成為開關(guān)設(shè)計(jì)中的一個(gè)限制因素。使用具有低正向電壓的低成本續(xù)流二極管之后，無需再在開關(guān)中提供死區(qū)時(shí)間邏輯——非常簡(jiǎn)單。在大多數(shù)情況下，它們也優(yōu)于功率開關(guān)(在死區(qū)時(shí)間期間導(dǎo)電)內(nèi)部固有的體二極管的正電壓壓降。

升壓轉(zhuǎn)換器熱回路(黃色突出顯示)包含一個(gè)分立式續(xù)流二極管，不會(huì)減弱高頻率輻射。

使用異步轉(zhuǎn)換器的單個(gè)開關(guān)來形成SEPIC拓?fù)?升壓和降壓)，以擴(kuò)展其實(shí)用性，不止局限于預(yù)期的升壓用途。因?yàn)槭菃伍_關(guān)，所以很容易斷開升壓轉(zhuǎn)換器的熱回路，并在其中增加SEPIC耦合電容.

大多數(shù)同步升壓轉(zhuǎn)換器的頂部和底部開關(guān)都永久連接至單個(gè)開關(guān)節(jié)點(diǎn)，所以無法轉(zhuǎn)換成SEPIC。如果能多加關(guān)注由耦合電容、續(xù)流二極管和輸出電容形成的回路，那么SEPIC熱回路可以保持較小。

所有應(yīng)用指令和數(shù)據(jù)寄存器,包括用來設(shè)定模擬值(即電流保護(hù)跳閘點(diǎn),死區(qū)時(shí)間,PWM頻率等)是通過標(biāo)準(zhǔn)5Mbps SPI設(shè)定.而豐富保護(hù)設(shè)定(熱,低總線電壓,過流和馬達(dá)失速)使得powerSTEP01成為”防彈衣”,正如大多數(shù)嚴(yán)格要求電機(jī)控制應(yīng)用那樣.

扭轉(zhuǎn)變形產(chǎn)生的剪切變形和剪應(yīng)力,扭轉(zhuǎn)剪應(yīng)力接起來叫做機(jī)翼(機(jī)身)的剛軸。在結(jié)構(gòu)受力和變形中,剛軸的特點(diǎn)是:通過剛軸的外載荷只能使機(jī)翼(機(jī)身)產(chǎn)生彎曲變形,而不發(fā)生扭轉(zhuǎn);

工作電壓為7.5V到85V,最大輸出電流10A RMS,可調(diào)輸出轉(zhuǎn)換速率,多達(dá)1/128微步進(jìn),無傳感器失速檢測(cè).