內部MOSFET在TMR電壓達到1.215V關閉及高速SPI接口
發(fā)布時間:2022/6/14 13:28:35 訪問次數(shù):301
+125℃汽車F-RAM存儲器產品線陣容,F(xiàn)M25L04-GA這款3V、4Kb并具有串行外設接口(SPI)的F-RAM器件現(xiàn)符合Grade 1 AEC-Q100的規(guī)范要求,可在-40℃至+125℃的汽車工作溫度范圍內工作,并確保在極端溫度條件下保存數(shù)據達9,000小時。
FM25L04-GA現(xiàn)已用于需要F-RAM經常及快速地保存數(shù)據的先進動力傳動系統(tǒng)中,使變速度箱能夠連續(xù)適應不斷變化的駕駛者行為和路面狀況。
F-RAM的No Delay™(無延遲)寫入、幾乎無限次的讀寫以及高速的SPI接口,為其帶來獨特的優(yōu)勢,能夠在這及其它先進汽車應用中以最大的總線速度可靠地寫入數(shù)據。
在輸出過載或短路期間,當RSNS壓降超過50mV電流限值閾值時,TMR引腳電容電壓開始從0V上升,內部MOSFET在TMR電壓達到1.215V時關閉。4mΩ RSNS將典型過流閾值設置為12.5A(50mV/4mΩ),最小閾值設置為11.25A (45mV/4mΩ),為10A負載電流提供足夠余量。
MB85R2001的配置是256K字x8位;MB85R2002的配置是128K字x16位。這兩種類型的讀訪問周期均為100納秒(ns),讀/寫周期為150ns,操作電壓為3-3.6V。
當飛機剎車時,產生的摩擦熱能將由作動筒體傳導到剎車系統(tǒng)的油液中,導致油溫過高,油液變質。為防止這種情況發(fā)生,在作動筒頂部加裝石棉隔熱塊阻止熱量的傳導。
間隙自動調整器剎車間隙大小直接影響剎車性能:間隙過大,剎車不靈敏,即剎車反應遲鈍;間隙過小,松剎車不靈,嚴重時可導致剎車動盤,靜盤咬合,防滯系統(tǒng)失效,損壞剎車裝置。
剎車間隙自動調整器可隨剎車盤磨損量的增大自動調節(jié)剎車間隙,常見的間隙自動調整器有調節(jié)管式和摩擦式兩大類,為調節(jié)管式間隙調整器的具體構造。
+125℃汽車F-RAM存儲器產品線陣容,F(xiàn)M25L04-GA這款3V、4Kb并具有串行外設接口(SPI)的F-RAM器件現(xiàn)符合Grade 1 AEC-Q100的規(guī)范要求,可在-40℃至+125℃的汽車工作溫度范圍內工作,并確保在極端溫度條件下保存數(shù)據達9,000小時。
FM25L04-GA現(xiàn)已用于需要F-RAM經常及快速地保存數(shù)據的先進動力傳動系統(tǒng)中,使變速度箱能夠連續(xù)適應不斷變化的駕駛者行為和路面狀況。
F-RAM的No Delay™(無延遲)寫入、幾乎無限次的讀寫以及高速的SPI接口,為其帶來獨特的優(yōu)勢,能夠在這及其它先進汽車應用中以最大的總線速度可靠地寫入數(shù)據。
在輸出過載或短路期間,當RSNS壓降超過50mV電流限值閾值時,TMR引腳電容電壓開始從0V上升,內部MOSFET在TMR電壓達到1.215V時關閉。4mΩ RSNS將典型過流閾值設置為12.5A(50mV/4mΩ),最小閾值設置為11.25A (45mV/4mΩ),為10A負載電流提供足夠余量。
MB85R2001的配置是256K字x8位;MB85R2002的配置是128K字x16位。這兩種類型的讀訪問周期均為100納秒(ns),讀/寫周期為150ns,操作電壓為3-3.6V。
當飛機剎車時,產生的摩擦熱能將由作動筒體傳導到剎車系統(tǒng)的油液中,導致油溫過高,油液變質。為防止這種情況發(fā)生,在作動筒頂部加裝石棉隔熱塊阻止熱量的傳導。
間隙自動調整器剎車間隙大小直接影響剎車性能:間隙過大,剎車不靈敏,即剎車反應遲鈍;間隙過小,松剎車不靈,嚴重時可導致剎車動盤,靜盤咬合,防滯系統(tǒng)失效,損壞剎車裝置。
剎車間隙自動調整器可隨剎車盤磨損量的增大自動調節(jié)剎車間隙,常見的間隙自動調整器有調節(jié)管式和摩擦式兩大類,為調節(jié)管式間隙調整器的具體構造。
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