SRAM為基礎(chǔ)的競爭解決方案的動態(tài)功耗較其高出60%
發(fā)布時間:2022/6/22 21:10:37 訪問次數(shù):71
當(dāng)A2“+”端電壓(即R5上的電壓)大于A2的“-”端電壓時,A2輸出高電位,信號送到發(fā)電機控制繼電器GCR和斷路器GCB控制電路上,關(guān)斷發(fā)電機勵磁電路,使發(fā)電機滅磁;同時斷開發(fā)電機接觸器,停止向負載供電。
延時特性分析,為分析過壓保護電路中的延時時間與過壓值之間的關(guān)系,必須知道乙1與發(fā)電機輸出電壓有效值之間的關(guān)系。設(shè)三相交流電對稱,其相電壓有效值為σ。
三相交流電經(jīng)半波整流、濾波和分壓后得到采樣電壓u1,則購和發(fā)電機輸出電壓σ成比例關(guān)系。當(dāng)σ=130V時,調(diào)整可變電阻R9,使得・1=6.4Ⅴ;當(dāng)σ)130Ⅴ時,仍1>6.4V,電路經(jīng)延時發(fā)出保護信號。
在利用同級100萬門FPGA的典型高速設(shè)計中,ProASIC3L器件的動態(tài)功耗只有100mA,靜態(tài)功耗僅為1mW,而以SRAM為基礎(chǔ)的競爭解決方案的動態(tài)功耗較其高出60%,靜態(tài)功耗更是其100倍。
ProASIC3L系列以Actel成功的ProASIC3架構(gòu)為基礎(chǔ),包含A3P250L、A3P600L、A3P1000L和 A3PE3000L,門電路數(shù)從25萬到300萬個。這些器件備有商用和工業(yè)用兩種溫度等級,帶有嵌入式SRAM存儲器、大量I/O、鎖相環(huán)(PLL)以及非易失性存儲器。
由此可以看出,電壓、電流與電功率之間是成正比的。電功率叉分為用電器在額定電壓下工作的額定功率和在實際電壓下工作的實際功率3用電器在額定電壓下工作的功率叫作額定功率,在實際電壓下工作的功率叫作實際功率。
當(dāng)A2“+”端電壓(即R5上的電壓)大于A2的“-”端電壓時,A2輸出高電位,信號送到發(fā)電機控制繼電器GCR和斷路器GCB控制電路上,關(guān)斷發(fā)電機勵磁電路,使發(fā)電機滅磁;同時斷開發(fā)電機接觸器,停止向負載供電。
延時特性分析,為分析過壓保護電路中的延時時間與過壓值之間的關(guān)系,必須知道乙1與發(fā)電機輸出電壓有效值之間的關(guān)系。設(shè)三相交流電對稱,其相電壓有效值為σ。
三相交流電經(jīng)半波整流、濾波和分壓后得到采樣電壓u1,則購和發(fā)電機輸出電壓σ成比例關(guān)系。當(dāng)σ=130V時,調(diào)整可變電阻R9,使得・1=6.4Ⅴ;當(dāng)σ)130Ⅴ時,仍1>6.4V,電路經(jīng)延時發(fā)出保護信號。
在利用同級100萬門FPGA的典型高速設(shè)計中,ProASIC3L器件的動態(tài)功耗只有100mA,靜態(tài)功耗僅為1mW,而以SRAM為基礎(chǔ)的競爭解決方案的動態(tài)功耗較其高出60%,靜態(tài)功耗更是其100倍。
ProASIC3L系列以Actel成功的ProASIC3架構(gòu)為基礎(chǔ),包含A3P250L、A3P600L、A3P1000L和 A3PE3000L,門電路數(shù)從25萬到300萬個。這些器件備有商用和工業(yè)用兩種溫度等級,帶有嵌入式SRAM存儲器、大量I/O、鎖相環(huán)(PLL)以及非易失性存儲器。
由此可以看出,電壓、電流與電功率之間是成正比的。電功率叉分為用電器在額定電壓下工作的額定功率和在實際電壓下工作的實際功率3用電器在額定電壓下工作的功率叫作額定功率,在實際電壓下工作的功率叫作實際功率。
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