兩款Samsung 2-gigabit (Gb) DDR3解決方案通過了Intel新款Core i7 (Nehalem) PC平臺的驗證。通過Intel驗證程序的2Gb DDR3器件是DDR3 SDRAM芯片(x8)以及用于臺式PC機(jī)的4-gigabyte (GB) 1066Mbps DDR3模塊。

全新經(jīng)驗證的DDR3解決方案基于高級50nm工藝和開發(fā)的2Gb存儲器件。通過采用50nm級工藝，Samsung的2Gb DDR3模塊相對于1Gb DDR3能夠消耗少很多功耗，1.333Mbps時最大少40%。

Samsung與Intel密切的合作已經(jīng)推動其最高級的DRAM技術(shù)和產(chǎn)品工藝的開發(fā)，從而能夠顯著改善系統(tǒng)系統(tǒng)，并滿足快速入市的需求。

500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100s脈沖寬度，25%占空比時）

17dB增益

50%漏極效率

更佳耐用度

能夠承受高達(dá)5dB的過驅(qū)動能力

更佳脈沖頂降(低于0.2dB)

供電電壓50V

無毒封裝、符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)

另外,觸電者本身的身體狀況也是影響傷勢的原因之一。

狀態(tài)和錯誤標(biāo)記可通過主機(jī)接口讀取�，F(xiàn)有的總線監(jiān)控接口有助于器件管理，一旦出現(xiàn)故障，總線發(fā)送器可以完全切斷通信。