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長(zhǎng)距離高速率IR控制和數(shù)據(jù)電力的輸送和電壓變換

發(fā)布時(shí)間:2022/7/20 22:30:41 訪問(wèn)次數(shù):98

在不同的高壓供配電線路中,高壓供配電設(shè)各的類(lèi)型和數(shù)量也有所不同,因此我們需要對(duì)不同的高壓供配電元件的圖形或文字符號(hào)的代表意義有一定了解,并針對(duì)各元件的特點(diǎn)加以區(qū)分,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路圖的識(shí)讀和分析。下面我們針對(duì)上述的幾種高壓供配電線路中常見(jiàn)的元件和設(shè)各進(jìn)行解讀。

電力變壓器作為高壓供配電線路中重要特征元件,其作用是實(shí)現(xiàn)電力的輸送和電壓變換。

在遠(yuǎn)程傳輸環(huán)節(jié),變壓器將來(lái)自發(fā)電站的電力加壓,避免電力傳輸中造成電力大規(guī)模損失,降低遠(yuǎn)程運(yùn)輸電力的成本;在用電環(huán)節(jié),變壓器將傳輸?shù)碾娏祲?使用戶可以安全使用。

DDR DIMM存儲(chǔ)器模塊DDR333,目標(biāo)應(yīng)用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)計(jì)算機(jī)服務(wù)器和工作站。采用36個(gè)256M位FBGA封裝的存儲(chǔ)器器芯片,184引腳模塊比用TSOP封裝的同樣容量的模塊,板面積要小60%。

此外,由于封裝引起的寄生參數(shù)在數(shù)據(jù)引腳減小50%,其負(fù)載電感為3.0nH,電容為0.32pF,電阻為0.12歐姆。

總?cè)萘繛?28M字節(jié)X72,分成兩組,2.5V為工作電源,1.25V為信號(hào)電壓。

適用于側(cè)向接收和頂接收的表面安裝IR接收器TSOP5700,是業(yè)界工作距離最長(zhǎng)的,可到15米。該器件一個(gè)7.2x5.3x4mm的封裝內(nèi)包括光電檢測(cè)器和預(yù)放大器。

器件滿足了緊湊單元中的長(zhǎng)距離高速率IR控制和數(shù)據(jù)發(fā)送的要求。最大數(shù)據(jù)速率是20kbps,載波頻率為455kHz,其解調(diào)輸出信號(hào)能直接由微處理器解碼。

其它特性還有內(nèi)部自動(dòng)增益控制,以增加對(duì)光源干擾的免疫性,金屬外殼可抗電磁干擾(EMI)。器件的工作電壓為2.7-5.5V.


在不同的高壓供配電線路中,高壓供配電設(shè)各的類(lèi)型和數(shù)量也有所不同,因此我們需要對(duì)不同的高壓供配電元件的圖形或文字符號(hào)的代表意義有一定了解,并針對(duì)各元件的特點(diǎn)加以區(qū)分,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路圖的識(shí)讀和分析。下面我們針對(duì)上述的幾種高壓供配電線路中常見(jiàn)的元件和設(shè)各進(jìn)行解讀。

電力變壓器作為高壓供配電線路中重要特征元件,其作用是實(shí)現(xiàn)電力的輸送和電壓變換。

在遠(yuǎn)程傳輸環(huán)節(jié),變壓器將來(lái)自發(fā)電站的電力加壓,避免電力傳輸中造成電力大規(guī)模損失,降低遠(yuǎn)程運(yùn)輸電力的成本;在用電環(huán)節(jié),變壓器將傳輸?shù)碾娏祲?使用戶可以安全使用。

DDR DIMM存儲(chǔ)器模塊DDR333,目標(biāo)應(yīng)用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)計(jì)算機(jī)服務(wù)器和工作站。采用36個(gè)256M位FBGA封裝的存儲(chǔ)器器芯片,184引腳模塊比用TSOP封裝的同樣容量的模塊,板面積要小60%。

此外,由于封裝引起的寄生參數(shù)在數(shù)據(jù)引腳減小50%,其負(fù)載電感為3.0nH,電容為0.32pF,電阻為0.12歐姆。

總?cè)萘繛?28M字節(jié)X72,分成兩組,2.5V為工作電源,1.25V為信號(hào)電壓。

適用于側(cè)向接收和頂接收的表面安裝IR接收器TSOP5700,是業(yè)界工作距離最長(zhǎng)的,可到15米。該器件一個(gè)7.2x5.3x4mm的封裝內(nèi)包括光電檢測(cè)器和預(yù)放大器。

器件滿足了緊湊單元中的長(zhǎng)距離高速率IR控制和數(shù)據(jù)發(fā)送的要求。最大數(shù)據(jù)速率是20kbps,載波頻率為455kHz,其解調(diào)輸出信號(hào)能直接由微處理器解碼。

其它特性還有內(nèi)部自動(dòng)增益控制,以增加對(duì)光源干擾的免疫性,金屬外殼可抗電磁干擾(EMI)。器件的工作電壓為2.7-5.5V.


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