四頻帶M/GPRS單電源功率放大器(PA)模塊采用了高阻抗集成的功率放大器(HIIPA)封裝和增強(qiáng)型GaAs芯片生產(chǎn)工藝來(lái)制造。

MMM5062 PA模塊采用HIIPA封裝方法來(lái)提供50-歐姆解決方案而不用增加外接元件。50-歐姆匹配網(wǎng)絡(luò)阻抗是在芯片輸出端用電容和電感來(lái)實(shí)現(xiàn)，所用的電容是集成在芯片上，而電感則用不同長(zhǎng)度的導(dǎo)線(xiàn)鍵合而成。

電容數(shù)值的誤差，導(dǎo)線(xiàn)鍵合工序的精度能允許匹配阻抗數(shù)值低于設(shè)計(jì)誤差，也比在傳統(tǒng)無(wú)線(xiàn)板上用無(wú)源元件得到的誤差要小。HIIPA寬帶匹配方法能提供適應(yīng)GSM/GPRS應(yīng)用的靈活PA解決方案，適用于歐洲的三頻帶GSM/GPRS，美國(guó)雙頻或三頻帶GSM/GPRS的解決方案。

電路總電流為

1=E/R=2/2=1A

由歐姆定律可知,Rl兩端的電壓為ul=RI1=1×1=lV。

直流電和交流電,直流電(Dircct Currcnt,簡(jiǎn)稱(chēng)DC)是指電流方向不隨時(shí)間作周期性變化,由正極流向負(fù)極,但電流的大小可能會(huì)變化。直流電叮以分為脈動(dòng)直流和恒定直流兩種,脈動(dòng)直流中電流大小不穩(wěn)定,而恒定直流中的電流大小是恒定不變的。

MMM5062四頻帶E-模式和HIIPA模塊是要用在2.5G手機(jī)。先進(jìn)的單電源工藝能提供成本效率的性能，從而改善了低電壓功放應(yīng)用中崎嶇不平的途徑。

HIIPA和E-模式工藝結(jié)合起來(lái)是要用來(lái)改善MMM5062的特性。這種模塊支持GSM850/900，DCS1800和PCS1900的四頻帶應(yīng)用。它也為10類(lèi) GPRS工作而設(shè)計(jì)。高增益三級(jí)放大器是為GSM和DCS/PCS而設(shè)計(jì)。在全四頻帶應(yīng)用中，低端824到915MHz的典型性能是輸出功率35.2dBm,輸出功率-1dBm時(shí)附加功率效率(PAE)為53%。

高端(1710到1910MHz)的典型性能是輸出功率33.8dBm，輸入功率2dBm的附加功率效率為44%。典型的頻帶隔離即高端輸出測(cè)量到低端的二次諧波電平，在最大功率時(shí)為-28dBm.