SiZ700DT中低邊溝道的MOSFET具有類似的導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70度溫度下的最大電流分別為17.3A和13.9A。

高邊溝道的MOSFET在10V和4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為8.6mΩ和10.8mΩ，在+25度和+70度溫度下的最大電流分別為13.1A和10.5A。在一些更低電流和更低電壓的應(yīng)用中，甚至可以用PowerPAIR器件替換兩個(gè)SO-8封裝的MOSFET，至少能夠節(jié)省三分之二的空間。

由于兩個(gè)MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接上了，電路板的布局會(huì)更加簡(jiǎn)單，PCB走線的寄生電感也減小了，提高了系統(tǒng)效率。此外，SiZ700DT在引腳排列上了優(yōu)化，這樣在一個(gè)典型的降壓轉(zhuǎn)換器上，輸入引腳被安排在一側(cè)，輸出引腳是在另外一側(cè)，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電路板布局。

Si2170采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)，其高度集成的特性能減少100多個(gè)分立器件的需求，其中包括追蹤濾波功能，還能避免成本不低的人工電感調(diào)整/校正，進(jìn)而大幅降低制造成本。

Si2170電視調(diào)諧器不僅能實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，還能降低物料清單和制造成本；高集成度還能提升可靠性及印制電路板(PCB)的生產(chǎn)正品率，減少退貨。隨著電視制造商不斷設(shè)計(jì)更輕薄的產(chǎn)品，Si2170能實(shí)現(xiàn)超小電路板面積，也有助于打造下一代超薄平面顯示電視。

通過(guò)采用一個(gè)內(nèi)置控制序列器可確保有效降低上電爆破音，并通過(guò)縮短軟件驅(qū)動(dòng)開發(fā)時(shí)間來(lái)加快上市時(shí)間。歐勝在WM8961上集成了其創(chuàng)新的SilentSwitch技術(shù)，通過(guò)集成精密的鉗位電路和時(shí)序電路，進(jìn)一步提升抑制上電爆破音的能力。

通過(guò)鉗位輸出到地面，抑制了在上電和靜音及取消靜音的過(guò)程中耳機(jī)放大器輸出的不理想的噪音。同時(shí)WM8961內(nèi)置的高級(jí)自動(dòng)電平控制器可對(duì)錄音質(zhì)量進(jìn)行優(yōu)化。