S參數(shù)量化了RF能量是如何通過(guò)系統(tǒng)傳播的，因而包含有關(guān)其基本特征的信息。使用S參數(shù)可以將最復(fù)雜的RF器件表示為簡(jiǎn)單的N端口網(wǎng)絡(luò)。一個(gè)雙端口未平衡網(wǎng)絡(luò)的例子，該網(wǎng)絡(luò)可用于表示許多標(biāo)準(zhǔn)RF元件，例如RF放大器、濾波器或衰減器等。

波量a是入射在器件端口1和端口2上的電壓波的復(fù)數(shù)幅度。如果使用相應(yīng)的波量a1或a2依次激勵(lì)一個(gè)端口，同時(shí)另一個(gè)端口端接到匹配的負(fù)載中，我們就可以根據(jù)波量b來(lái)定義器件的正向和反向響應(yīng)。

這些數(shù)量代表了從網(wǎng)絡(luò)端口反射和通過(guò)網(wǎng)絡(luò)端口透射的電壓波�；谒脧�(fù)數(shù)響應(yīng)和初始激勵(lì)量的比率，我們可以定義雙端口器件的S參數(shù).將S參數(shù)組成一個(gè)散射矩陣(S-Matrix)來(lái)反映其所有端口的復(fù)數(shù)波量之間的關(guān)系,由此表示該網(wǎng)絡(luò)的內(nèi)在響應(yīng).對(duì)于雙端口未平衡網(wǎng)絡(luò)，激勵(lì)-響應(yīng)關(guān)系的形式,對(duì)于任意N端口RF器件,可以類(lèi)似方式定義S矩陣。

SQJQ160E是Vishay/Siliconix開(kāi)發(fā)的汽車(chē)用N溝道MOSFET，其采用TrenchFET®️Gen IV技術(shù)，具有極低的漏極-源極導(dǎo)通電阻（VGS=10V時(shí)僅為0.00085Ω），因此可以有效降低導(dǎo)通損耗和整體功耗。

PowerPAK®️8 x 8L封裝，SQJQ160E具有出色的熱性能，工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度為-55°C至+175°C。該產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，并且滿(mǎn)足無(wú)鹵、無(wú)鉛、RoHS指令等環(huán)保要求，可以說(shuō)是高功率密度汽車(chē)應(yīng)用的理想之選。

每個(gè)開(kāi)關(guān)需要10個(gè)Vishay SQJQ160E汽車(chē)用N溝道MOSFET并聯(lián)連接，使得通路阻抗最小化，以降低功耗。在200A工作條件下，可將總功耗限制在10W以?xún)?nèi)。

為了防止短路情況下對(duì)負(fù)載造成損害，該設(shè)計(jì)使用了四顆并聯(lián)的300μΩ分流電阻\連續(xù)測(cè)量負(fù)載電流。

總之，這是一款各方面考慮非常周全、功能完備、性能出眾的電子保險(xiǎn)絲參考設(shè)計(jì)，可以作為傳統(tǒng)機(jī)械繼電器的替代方案，滿(mǎn)足48V車(chē)載電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求。